国科大杭州高等研究院周宁获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种集成电极阵列的复合光纤探针及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120732431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511264856.4，技术领域涉及：A61B5/294；该发明授权一种集成电极阵列的复合光纤探针及其制备方法是由周宁;吴达坤;高粤兰;李双悦;陶青松;张凯翔;王宁;杜阳;于飞;于春雷;胡丽丽设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电极阵列的复合光纤探针及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种集成电极阵列的复合光纤探针及其制备方法，涉及光电子技术领域，其中，集成电极阵列的复合光纤探针包括：光纤基体、微通道阵列、金属微丝阵列以及封装层；微通道阵列包括至少一个凹槽，各凹槽设置在光纤基体的外部包层；金属微丝阵列包括至少一根金属微丝，各金属微丝分别嵌入所述微通道阵列的凹槽中；封装层填充在所述凹槽，将金属微丝包埋并固定在凹槽内部，并与外部包层的外表面形成连续的整体表面。本申请的集成电极阵列的复合光纤探针实现了石英基光纤与金属电极阵列材料的兼容、电极的灵活布局以及可定制集成，不仅利用石英基空芯光纤优异的光学传输性能，还支持多样化的光信号模式，可以实现高精度的体积照明控制。
本发明授权一种集成电极阵列的复合光纤探针及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电极阵列的复合光纤探针，其特征在于，包括：光纤基体、微通道阵列、金属微丝阵列以及封装层； 所述微通道阵列包括通过飞秒激光微加工在所述光纤基体的外部包层外表面形成的至少一个凹槽，各所述凹槽设置在所述光纤基体的外部包层；所述光纤基体为石英基空芯微结构光纤； 所述金属微丝阵列包括至少一根金属微丝，各所述金属微丝分别嵌入所述微通道阵列的所述凹槽中； 所述封装层填充在所述凹槽，将所述金属微丝包埋并固定在所述凹槽内部，并与所述外部包层的外表面形成连续的整体表面； 所述光纤基体为一根空芯微结构光纤，包括中空的纤芯、围绕所述纤芯设置的微结构包层以及位于所述微结构包层外侧的所述外部包层； 所述微通道阵列的所述凹槽的深度小于所述外部包层的厚度； 所述凹槽不与所述光纤基体的微结构包层以及所述光纤基体的纤芯贯通。
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