清华大学余晴获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利微谐振器以及微谐振器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120582583B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510580218.7，技术领域涉及：H03H9/24；该发明授权微谐振器以及微谐振器的制备方法是由余晴;崔伟;王骞;张靖毅设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本微谐振器以及微谐振器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种微谐振器以及微谐振器的制备方法，该微谐振器可以采用MIM平板电容器和平面线圈结构的电感连接得到，MIM平板电容器的上下层电极、电感、以及连接电容和电感的微带线均采用超导材料制备，且MIM平板电容器的介质层可以采用ALD技术制备得到，ALD技术生长的介质薄膜不但非常致密，还具有很好的厚度均匀性，并且可以实现较高的介电常数，结合超导材料的零电阻特性，能够显著提高微谐振器的品质因子，并且可以实现微谐振器的小型化。并且，制备过程中，通过先沉积形成用于形成电容和电感的三层薄膜，然后再逐层对三层薄膜进行图形化处理，可以避免引入过多的杂质，可以优化层间接触，减少漏电风险。
本发明授权微谐振器以及微谐振器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微谐振器，其特征在于，所述微谐振器包括： 电容，所述电容包括位于衬底上的下层超导电极、与所述下层超导电极平行的上层超导电极、以及位于所述下层超导电极和所述上层超导电极之间的介质层，其中，所述介质层通过原子层沉积工艺制备得到； 电感，所述电感位于所述衬底上，且所述电感为超导平面线圈； 绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述电容和所述电感上，且所述绝缘层中包括过孔，所述过孔用于露出所述电容的至少部分，以及所述电感的至少部分； 超导微带线，所述超导微带线覆盖于所述绝缘层上，并通过所述过孔将所述电容和所述电感连通。
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