深圳市晶扬电子有限公司杜飞波获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种双向超低压静电保护器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120417493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510699104.4,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权一种双向超低压静电保护器件是由杜飞波;高东兴设计研发完成,并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向超低压静电保护器件在说明书摘要公布了:本发明提供一种双向超低压静电保护器件,包括与第一端口相连的第一导电类型衬底,及与第二端口相连的第一导电类型有源区,第二导电类型有源区浮空设置,还包括第一触发单元和第二触发单元,所述第一触发单元的一端通过联线与第二导电类型有源区相连,另一端通过联线与第一端口相连,所述第二触发单元的一端通过联线与第二端口相连,另一端通过联线与第二导电类型有源区相连,所述第一端口、第一触发单元及第二端口形成第一触发路径,所述第二端口、第二触发单元及第一端口形成纵向的第二触发路径,所述第一触发单元和第二触发单元能够分别独立调节所述双向超低压静电保护器件的正向开启电压及反相开启电压,满足各种应用场景。
本发明授权一种双向超低压静电保护器件在权利要求书中公布了:1.一种双向静电保护器件,其特征在于:包括第一导电类型衬底,设置在第一导电类型衬底正面的第二导电类型结构,所述第二导电类型结构上设有第一导电类型有源区和第二导电类型有源区,其中,所述第一导电类型有源区设有与第二端口相连的联线,第二导电类型有源区浮空设置,所述第一导电类型衬底背面设有与第一端口相连的联线, 所述双向超低压静电保护器件还包括第一触发单元和第二触发单元,所述第一触发单元的一端通过联线与第二导电类型有源区相连,另一端通过联线与第一端口相连,所述第二触发单元的一端通过联线与第二端口相连,另一端通过联线与第二导电类型有源区相连, 所述第一端口、第一触发单元、第二导电类型有源区、第二导电类型结构、第一导电类型有源区及第二端口形成第一触发路径,所述第二端口、第二触发单元、第二导电类型有源区、第二导电类型结构、第一导电类型衬底及第一端口形成纵向的第二触发路径,所述第一触发单元和第二触发单元能够分别独立调节所述双向超低压静电保护器件的正向开启电压及反相开启电压。
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