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龙图腾网获悉无锡芯研微电子有限公司申请的专利一种超低压恒流源结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120315511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510288452.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种超低压恒流源结构是由周烨;苗迎秋;赵博文;颜贞;毛新平;王晨晨设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低压恒流源结构在说明书摘要公布了：本发明旨在提供一种超低压恒流源结构，属于模拟电路技术领域，该结构采用包括差分对比较器及耗尽型NMOS管N1，差分对比较器输出控制电压调节输出电流,其中的PMOS管P4和P5是低开起电压PMOS管，开启电压为‑0.3V的耗尽型NMOS管N1，最低工作电压达0.5V，其衬偏效应小。针对传统运放恒流源电路在低压环境下局限性，简化设计复杂度，芯片面积减少，静态功耗降低，适用于物联网传感器、医疗植入设备等对功耗敏感领域，还能在超低压下实现宽电流范围输出，满足大电流负载场景需求，如高亮度LED驱动，拓展了应用场景。

本发明授权一种超低压恒流源结构在权利要求书中公布了：1.一种超低压恒流源结构，其特征在于，包括：差分对比较器和耗尽型NMOS管N1；所述差分对比较器的输出端连接所述耗尽型NMOS管N1以提供控制信号，且所述耗尽型NMOS管N1的开启电压为负值；所述耗尽型NMOS管N1经电阻R2接地形成恒流输出端，其中所述差分对比较器的同相输入端接参考电压Vref，所述差分对比较器的反相输入端接所述耗尽型NMOS管N1的源极反馈电压Vfb，并通过所述差分对比较器的负反馈使Vfb趋向于Vref，使得输出电流I满足I=VrefR2，以形成恒流；所述差分对比较器包括电流源I1，PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5，NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4，且所述PMOS管P4与所述PMOS管P5为低开起电压PMOS管； 所述PMOS管P1的源极、所述PMOS管P1的衬底、所述PMOS管P2的源极、所述PMOS管P2的衬底、所述PMOS管P3的源极、所述PMOS管P3的衬底、所述耗尽型NMOS管N1的栅极接电源电压Vcc； 所述PMOS管P1的栅极、所述PMOS管P1的漏极、所述PMOS管P2栅极、所述PMOS管P3栅极、所述PMOS管P1漏极与所述电流源I1相连； 所述PMOS管P2的漏极接所述PMOS管P4的源极、所述PMOS管P4的衬底、所述PMOS管P5的源极以及所述PMOS管P5的衬底； 所述PMOS管P3的漏极接所述耗尽型NMOS管N1栅极以及所述NMOS管N4漏极； 所述PMOS管P4的漏极、所述NMOS管N2的漏极、所述NMOS管N2的栅极、所述NMOS管N3的栅极四者相连； 所述PMOS管P5的栅极接参考电压Vref，所述PMOS管P5的漏极接所述NMOS管N3的漏极以及所述NMOS管N4的栅极； 所述NMOS管N2的源极、所述NMOS管N2的衬底、所述NMOS管N3的源极、所述NMOS管N3的衬底、所述NMOS管N4的源极、所述NMOS管N4的衬底均接地； 所述耗尽型NMOS管N1源极接所述PMOS管P4的栅极，且经所述电阻R2接地。

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