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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种基于新型结构的低容值静电保护器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510613673.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种基于新型结构的低容值静电保护器件及其制造方法是由杜飞波;高东兴设计研发完成，并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于新型结构的低容值静电保护器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于新型结构的低容值静电保护器件及其制造方法，包括P型重掺杂衬底和P型外延层，P型外延层内设有相配合的隔离深沟槽、N型反型层和P型重掺杂埋层，P型重掺杂埋层包围隔离深沟槽设置且被隔离深沟槽分割为两个部分，内侧部分长度为W3，W3＞N型反型层的厚度，P型重掺杂衬底下表面能够与IO端口一相连，P型外延层上表面设有能够与IO端口二相连的N+重掺杂有源区，N+重掺杂有源区与P型重掺杂埋层的内侧部分之间的距离为W5，P型重掺杂埋层与N+重掺杂有源区形成一个PN结，PN结的雪崩击穿电压能够随W5的调整而变化。本发明的有益效果为：能够实现具有超低寄生电容且击穿电压可调的静电保护器件。

本发明授权一种基于新型结构的低容值静电保护器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于新型结构的低容值静电保护器件，其特征在于：包括从下而上设置的P型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有相配合的隔离深沟槽、N型反型层和P型重掺杂埋层，所述隔离深沟槽的顶部与所述P型外延层上表面平齐，所述隔离深沟槽的底部穿过所述P型外延层且伸入所述P型重掺杂衬底内，所述N型反型层紧贴所述隔离深沟槽的内侧设置，所述P型重掺杂埋层位于所述P型外延层内部顶端且顶部与所述P型外延层的上表面平齐，所述P型重掺杂埋层包围所述隔离深沟槽设置且被所述隔离深沟槽分割为两个部分，所述P型重掺杂埋层被所述隔离深沟槽分割的内侧部分长度为W3，W3＞所述N型反型层的厚度，所述P型重掺杂衬底下表面能够与IO端口一相连，所述P型外延层上表面设有能够与IO端口二相连的N+重掺杂有源区，所述N+重掺杂有源区与所述P型重掺杂埋层的内侧部分之间的距离为W5，所述W5的取值＞0mm，所述P型重掺杂埋层的内侧部分能够隔断所述N型反型层与所述N+重掺杂有源区的连接，所述P型重掺杂埋层与所述N+重掺杂有源区形成一个PN结，所述PN结的雪崩击穿电压能够随W5的调整而变化。

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