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龙图腾网获悉深圳市智光半导体科技有限公司申请的专利一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120262171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510423753.1，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片是由薛正群;李艳飞;曾俊;朱一飞设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片，涉及芯片加工技术领域，具体包括P‑Si衬底、外延过渡缓冲层、缓冲层结构、激光器增益区和波导结构、光栅结构区域、脊型波导结构，该片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片，通过单片上实现多波长高速激光、并合束和放大，采用不同倾斜波导对应不同光栅周期和出光波长，通过计算可以在单片上实现多个目标波长，通过合理设置脊波导倾斜角度，可以激光器同时输出1621nm、1641nm、1661nm、1681nm四个波长，其性能可以实现100G长距离传输，取代传统分立光器件；采用外延的P型衬底和共面电极有效降低器件串联电阻和发热功耗，并通过SOA进一步放大多路合束的高速激光。

本发明授权一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片在权利要求书中公布了：1.一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片，其特征在于：包括P-Si衬底、外延过渡缓冲层、缓冲层结构、激光器增益区和波导结构、光栅结构区域、脊型波导结构； 所述外延过渡缓冲层主要包括：P-GaP缓冲层和P-GaAs缓冲层； 缓冲层结构主要包括：P-InP第一缓冲层、P-InGaAsPP-InP多层超晶格结构和P-InP第二缓冲层； 激光器增益区和波导结构沿生长方向主要包括：P-InGaAlAs下波导结构、应变InGaAlAs多量子阱、N-InGaAlAs上波导结构、N-InAlAs电子阻挡层； 光栅结构区域主要包括：N-InP空间层、N-InGaAsP腐蚀阻止层、N-InP间隔层、N-InGaAsP光栅层、N-InP盖层； 脊型波导结构主要包括：N-InP空间层，N-InGaAsP过渡层、N-InGaAs重掺杂欧姆接触层和N-InP盖层； 还包括以下制备方法； S1：在P-Si衬底上，通过MOCVD先生长P-GaP缓冲层、P-GaAs缓冲层和P-InP第一缓冲层，有效降低晶格失配； S2：通过生长晶格匹配的InGaAsP-InP多层超晶格结构有效过滤衬底位错，并生长P-InP第二缓冲层；； S3：接着生长激光器增益区和波导结构、光栅结构区域：沿生长方向依次生成P-InGaAlAs下波导结构、应变InGaAlAs多量子阱、N-InGaAlAs上波导结构、N-InAlAs电子阻挡层、N-InP空间层、N-InGaAsP腐蚀阻止层、N-InP间隔层、N-InGaAsP光栅层和N-InP盖层，完成基片生长； S4：通过全息曝光和湿法腐蚀的方法在激光器区域制备均匀光栅，最后生长N-InP空间层、N-InGaAsP过渡层、N-InGaAs重掺杂欧姆接触层和N-InP盖层，完成外延生长； S5：接着通过光刻、刻蚀和腐蚀方法制备激光器和半导体光放大器，其中激光器具有多个不同倾斜角度波导，对应不同的输出目标波长，不同波长激光器通过合束输入至半导体光放大器； S6：激光器和半导体光放大器之间采用离子注入实现电隔离；通过光刻、刻蚀和腐蚀形成P型欧姆接触区域，腐蚀深度至P-InP第二缓冲层； S7：接着沉积SiO2钝化层，在脊型波导和P型欧姆接触区顶部开孔，形成金属接触区域，电子束蒸发TiPtAu金属，合金形成P型和N型欧姆接触； S8：最后进行解离和激光器出光、背光端面的高透和高反光学膜蒸镀，完成芯片的制备。

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