长江大学何红宇获国家专利权
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龙图腾网获悉长江大学申请的专利一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120217987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510351077.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法是由何红宇;毕吉霖;肖作文;蔡卫菊;陈英芝设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法，包括：构建场效应晶体管的电流模型；基于所述场效应晶体管的电流模型提取参数。本发明能够表征晶体管输出特性在低VDSDS时可能出现的线性或超线性非线性行为，也能够表征在晶体管输出特性在高VDSDS时可能出现的沟道长度调制效应，还能够表征晶体管的电流在上述两种情况时可能出现的不同的栅源电压幂律参数特征行为。
本发明授权一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的电流模型和参数提取方法，其特征在于，包括： 构建场效应晶体管的电流模型； 基于所述场效应晶体管的电流模型提取参数； 构建场效应晶体管的电流模型包括： 首先对晶体管在低VDS和高VDS这两种情况时分别建立电流模型，再进行合并形成统一的电流模型， 在低VDS时，引入幂律参数γL和β，电流模型为 和 其中μ0L为低VDS时的载流子迁移率前置因子，γL为低VDS时的栅源电压幂律参数； 把式2代入式1，得 在高VDS时，引入幂律参数γS和沟道长度调制参数λ，电流模型为 IDS-S＝fS×1+λVDS4 和 其中μ0S为高VDS时的载流子迁移率前置因子，γS为高VDS时的栅源电压幂律参数； 把式5代入式4，得 对式3和式6运用取小值的函数，得到对高VDS和低VDS时同时有效的电流模型， 其中m为连接IDS-L和IDS-S的参数； 把式3和式6代入式7，式7重新整理为， 或
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