京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司姚磊获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司申请的专利阵列基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120215177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510378041.2，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板及其制造方法是由姚磊;李洋;高楚瑜;王磊;李峰;杨阳;张馨文;陈龙设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域。该阵列基板的制造方法包括：在衬底基板的一侧形成多个晶体管和多条扇出引线，多个晶体管至少分布在显示区内，多条扇出引线分布在非显示区内，且晶体管的有源层具有轻掺杂漏极区。其中，在形成扇出引线之前，会在扇出引线背离衬底基板的一侧形成与扇出引线对应的光刻胶引线图案，光刻胶引线图案覆盖扇出引线，且在平行于衬底基板的方向上，光刻胶引线图案相对于扇出引线单侧凸出的宽度小于轻掺杂漏极区的宽度。如此，光刻胶引线图案相对于扇出引线单侧凸出的宽度较小，从而可以减小相邻两条扇出引线之间的距离，进而可以降低非显示区的宽度，提升液晶显示面板的屏占比。
本发明授权阵列基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板具有显示区，以及围绕所述显示区分布的非显示区；所述方法包括： 在衬底基板的一侧形成多个晶体管和多条扇出引线；所述多个晶体管至少分布在所述显示区内，所述多条扇出引线分布在所述非显示区内，且所述晶体管的有源层具有轻掺杂漏极区； 其中，在形成所述扇出引线之前，会在所述扇出引线背离所述衬底基板的一侧形成与所述扇出引线对应的光刻胶引线图案，所述光刻胶引线图案覆盖所述扇出引线，且在平行于所述衬底基板的方向上，所述光刻胶引线图案相对于所述扇出引线单侧凸出的宽度小于所述轻掺杂漏极区的宽度；所述多条扇出引线中的至少部分扇出引线与所述晶体管中的栅极同层设置且材料相同，且所述至少部分扇出引线和所述栅极是通过湿法刻蚀工艺形成的。
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