埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司;埃特曼(浙江)半导体技术有限公司林凡获国家专利权
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龙图腾网获悉埃特曼半导体技术有限公司;埃特曼(厦门)光电科技有限公司;埃特曼(浙江)半导体技术有限公司申请的专利外延结构的制备方法、外延结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510201667.6，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权外延结构的制备方法、外延结构及其应用是由林凡;张高俊;倪健;周均铭设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构的制备方法、外延结构及其应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种外延结构的制备方法、外延结构及其应用。外延结构的制备方法包括：提供衬底；通入氮源和Ⅲ族源，采用分子束外延工艺，在衬底上外延生长至少一层位错阻挡层；位错阻挡层包括依次层叠的第一生长层和第二生长层，第一生长层具有三维岛状形貌，第二生长层的底面与第一生长层的远离衬底方向的表面相接触，第二生长层的远离衬底方向的表面呈平面结构；在第一生长层的生长过程中，氮源和Ⅲ族源的流量的化学计量比大于1，在第二生长层的生长过程中，氮源和Ⅲ族源的流量的化学计量比小于1；采用分子束外延工艺，在位错阻挡层上外延生长Ⅲ族氮化物材料层。如此能够使得部分位错终止于位错阻挡层内，使得外延结构中的位错密度降低。
本发明授权外延结构的制备方法、外延结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 通入氮源和Ⅲ族源，采用分子束外延工艺，在所述衬底上外延生长至少一层位错阻挡层；所述位错阻挡层包括依次层叠的第一生长层和第二生长层，所述第一生长层具有三维岛状形貌，所述第二生长层的底面与所述第一生长层的远离所述衬底方向的表面相接触，所述第二生长层的厚度大于等于所述第一生长层的厚度，所述第二生长层的远离所述衬底方向的表面呈平面结构；其中，在所述第一生长层的生长过程中，所述氮源和所述Ⅲ族源的流量的化学计量比大于1，在所述第二生长层的生长过程中，所述氮源和所述Ⅲ族源的流量的化学计量比小于1； 采用分子束外延工艺，在所述位错阻挡层上外延生长Ⅲ族氮化物材料层。
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