广州增芯科技有限公司陈建获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510339802.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其制备方法是由陈建设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一阱，包括第一主阱区和多个自第一主阱区向外延伸的第一叉指区，第一阱内的离子均匀分布；第二阱，包括第二主阱区和多个自第二主阱区向外延伸的第二叉指区，第二阱内的离子均匀分布且与第一阱内的离子的导电类型相反，第二叉指区朝向第一主体区延伸，第一叉指区朝向第二主体区延伸，各第一叉指区与各第二叉指区之间相互穿插设置；漏区，位于第一阱内；源区，位于第二阱内，且与第一叉指区电性接触；栅区，位于第一阱和第二阱的上方。本申请半导体结构及其制备方法，器件各区域的离子浓度更加均匀，器件的HCI效应不显著，可以提升器件的可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 第一阱，包括第一主阱区和多个自所述第一主阱区向外延伸的第一叉指区，所述第一阱内的离子均匀分布； 第二阱，包括第二主阱区和多个自所述第二主阱区向外延伸的第二叉指区，所述第二阱内的离子均匀分布且与所述第一阱内的离子的导电类型相反，所述第二叉指区朝向所述第一主阱区延伸，所述第一叉指区朝向所述第二主阱区延伸，各所述第一叉指区与各所述第二叉指区之间相互穿插设置； 漏区，位于所述第一阱内； 源区，位于所述第二阱内，且与所述第一叉指区电性接触； 栅区，位于所述第一阱和所述第二阱的上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州增芯科技有限公司，其通讯地址为：511365 广东省广州市增城区宁西街创优路333号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励