南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心杨晓磊获国家专利权
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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利一种多台阶复合介质保护结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293192.8，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种多台阶复合介质保护结构及其制备方法是由杨晓磊;张腾;陈宇;李士颜;黄润华;杨勇;柏松设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多台阶复合介质保护结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多台阶复合介质保护结构及其制备方法，方法包括：在半导体晶圆成品表面自下而上依次生长2N‑1层的复合介质层；其中，N为大于1的自然数；在复合介质层顶部形成掩膜图形；根据掩膜图形对复合介质层通过一次干法刻蚀形成多台阶介质层；去除掩膜图形和多台阶介质层中裸露在窗口外的偶数层介质层，得到N层的多台阶复合介质保护结构。本发明中仅通过一次光刻刻蚀，外加大面积回刻，即可完成多层台阶的复合介质结构。
本发明授权一种多台阶复合介质保护结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多台阶复合介质保护结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、在半导体晶圆成品表面自下而上依次生长2N-1层的复合介质层；其中，N为大于1的自然数； 步骤2、在复合介质层顶部形成掩膜图形； 步骤3、根据掩膜图形对复合介质层通过一次干法刻蚀形成多台阶介质层；偶数层的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率的比值为3:1~50:1，奇数层的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率的比值为2:1~1:2，且奇数层和偶数层的复合介质层的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率比都随着复合介质层数和厚度的增加而增加； 步骤4、去除掩膜图形和多台阶介质层中裸露在窗口外的偶数层介质层，得到N层台阶的多台阶复合介质保护结构，第一层台阶对应一层复合介质层，第二层至第N层台阶均对应两层复合介质层，第N层台阶对应2N-2层、2N-1层的复合介质层；在去除偶数层介质层时，偶数层的复合介质层和奇数层的复合介质层刻蚀速率比大于10:1。
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