买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510205099.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由刘红超;孟大宇设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括碳化硅半导体本体，其包括第一器件区域和第二器件区域；第二器件区域包括第一导电类型器件区域和第二导电类型器件区域；碳化硅半导体本体包括电极设置表面；在同一预设温度下，半导体石墨烯层的迁移率大于碳化硅的迁移率；第一半导体石墨烯层位于第一器件区域的电极设置表面，第二半导体石墨烯层位于第一导电类型器件区域的电极设置表面，第三半导体石墨烯层位于第二导电类型器件区域的电极设置表面。本发明提供的技术方案，提升了单片集成的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅互补金属氧化物半导体的半导体器件的电学性能。

本发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：碳化硅半导体本体，所述碳化硅半导体本体包括沿第一方向间隔设置的第一器件区域和第二器件区域，所述第一方向与所述碳化硅半导体本体的厚度方向垂直；所述第二器件区域包括沿所述第一方向间隔设置的第一导电类型器件区域和第二导电类型器件区域；所述碳化硅半导体本体包括电极设置表面； 半导体石墨烯层，包括第一半导体石墨烯层、第二半导体石墨烯层和第三半导体石墨烯层，用于提高所述半导体器件的迁移率；在同一预设温度下，所述半导体石墨烯层的迁移率大于碳化硅的迁移率；所述第一半导体石墨烯层位于所述第一器件区域的所述电极设置表面，所述第二半导体石墨烯层位于所述第一导电类型器件区域的所述电极设置表面，所述第三半导体石墨烯层位于所述第二导电类型器件区域的所述电极设置表面； 所述半导体器件中，位于所述第一器件区域的部分为导通电流方向为所述第一方向的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，位于所述第二器件区域的部分为碳化硅互补金属氧化物半导体，所述碳化硅互补金属氧化物半导体包括位于第一导电类型器件区域且导通电流方向为所述第一方向的第一导电类型碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管以及位于第二导电类型器件区域且导通电流方向为所述第一方向的第二导电类型碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管和所述碳化硅互补金属氧化物半导体的工作电压不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。