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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利LDMOS器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510208421.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权LDMOS器件的制作方法是由王晓东设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LDMOS器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成存储单元器件，第二区域用于形成LDMOS器件，衬底上形成有第一介质层，第一介质层上形成有第二介质层；在第一介质层、第二介质层和衬底中形成第一沟槽；在第二区域的第一介质层、第二介质层和衬底中形成第二沟槽，第二沟槽包括第一子区域和第二子区域，第二子区域与第二区域中的第一沟槽连通，第二子区域和其连通的第一沟槽构成场板沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中填充第三介质层，场板沟槽中填充的第三介质层形成LDMOS器件的场板；去除第二介质层；在场板下方的衬底中形成LDMOS器件的掺杂区，在场板上方形成LDMOS器件的栅极。

本发明授权LDMOS器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成存储单元器件，所述第二区域用于形成LDMOS器件，所述衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层上形成有第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层的构成材料不同； 在第一介质层、第二介质层和衬底中形成第一沟槽； 在所述第二区域的第一介质层、第二介质层和衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽的深度和所述第一沟槽的深度不同，所述第二沟槽包括第一子区域和第二子区域，所述第二子区域与所述第二区域中的第一沟槽连通，所述第二子区域和其连通的第一沟槽构成场板沟槽； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充第三介质层，所述第一区域的第一沟槽中填充的第三介质层形成存储单元器件的STI结构，所述场板沟槽中填充的第三介质层形成LDMOS器件的场板，所述第三介质层的构成材料与所述第一介质层的构成材料相同； 去除所述第二介质层； 在所述场板下方的衬底中形成LDMOS器件的掺杂区，在所述场板上方形成LDMOS器件的栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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