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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120014290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510063281.3，技术领域涉及：G06V10/44；该发明授权电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法及系统是由劳崇哲;杨国斌;刘桐辛;姜春华;刘旭晖设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法及系统，包括如下步骤：对斜向返回散射扫频电离图进行灰度处理；对电离图进行去噪；经过Canny边缘检测算子提取图像边沿；通过形态学闭运算连通被噪声淹没的频率点信号，得到连续的信号边缘；通过连通域分析划分电离层垂测信号与斜向返回散射信号；划定F层斜向返回散射信号起始区域，并对电离图沿频率方向遍历，得到斜向返回散射信号的频率‑最小群路径曲线；利用LASSO回归拟合不同频率点的频率‑最小群路径曲线获取F层斜向返回散射前沿；本发明有着判读精准、噪声干扰小、信号质量好的优点。

本发明授权电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电离层斜向返回散射扫频电离图的参数判读方法，其特征在于，包括如下步骤： 对斜向返回散射扫频电离图进行灰度处理及去噪； 经过Canny边缘检测算子提取图像边沿后通过形态学闭运算连通被噪声淹没的频率点信号，得到连续的信号边缘； 通过连通域分析划分电离层垂测信号与斜向返回散射信号，进行连通域分析后，选取阈值去除连通像素点过少的连通域，遍历各个连通域并分类得到的电离图背景掩膜、垂测信号掩膜、斜向返回散射信号掩膜； 单独判读所述电离层垂测信号，获取本地电离层临界频率、电子密度峰值高度，判读步骤如下： 对电离图斜向返回散射信号掩膜位置像素置0，判断是否存在垂测信号掩膜，若存在，判读垂测信号掩膜对应的最大频率作为电离层垂测信号x波F2层临界频率，根据电离层垂测信号x波F2层临界频率和电离图的接收设备所在地上空的磁旋频率为fB计算出电离层垂测信号o波F2层临界频率和电离层F2层峰值高度； 若垂测信号掩膜不存在，则电离层F2层临界频率与峰值高度参数由IRI模型提供； 划定F层斜向返回散射信号起始区域，并对电离图沿频率方向遍历，得到斜向返回散射信号的频率-最小群路径曲线；利用LASSO回归拟合不同频率点的频率-最小群路径曲线获取F层斜向返回散射前沿。

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