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龙图腾网获悉湖南同裘镭盾科技有限公司申请的专利一种高吸收钽纳米粒子的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510218080.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高吸收钽纳米粒子的制备方法是由徐洪波;潘磊设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高吸收钽纳米粒子的制备方法在说明书摘要公布了：一种高吸收钽纳米粒子的制备方法，属于基底表面纳米粒子制备领域，具体为一种高吸收钽纳米粒子的制备方法。本发明是要解决目前制备钽纳米粒子的成本比较高，且存在颗粒尺寸较大的技术问题。本发明选择合适的钽靶材和基片，将基片清洗干净并固定在溅射室内；同时，调整溅射室内的真空度；向溅射室内充入适量的工作气体，并施加高压电场使气体电离；通过调整磁控溅射功率、溅射时间、气体压强等参数，控制钽纳米粒子的尺寸、形貌和分布。本发明制备的钽纳米粒子可以有效的降低反射率，在波长250nm～2500nm内其平均反射率可以达到9.49％，在波长2.5μm～25μm内其平均反射率可以达到13％。

本发明授权一种高吸收钽纳米粒子的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高吸收钽纳米粒子的制备方法，其特征在于高吸收钽纳米粒子的制备方法是按以下步骤进行的： 一、清洗基底：先用高压空气清洗基底5min~10min，再使用无水乙醇超声清洗4min~6min，再用超纯水超声清洗4min~6min，用氮气吹干，表面修饰十八烷基三氯硅烷，在基底上得到超疏水的表面； 二、预溅射：腔室本底真空度控制在3×10−3Pa以下，固定好钽靶材，工作气体为高纯氩气，将经过步骤一处理后的基底温度调整至0~200℃，溅射工作真空度控制在0.8Pa~1.2Pa，预溅射的功率为10W~50W，时间为50s~70s； 三、二次溅射：腔室本底真空度控制在3×10−3Pa以下，工作气体为高纯氩气，将基底温度调整至0~200℃，溅射工作真空度控制在0.8Pa~1.2Pa，溅射的功率为50W，溅射时间为2min，在基底上得到钽纳米粒子； 所述的钽纳米粒子在波长250nm~2500nm内的平均反射率为9.49%，在波长2.5μm~25μm内的平均反射率为13%。

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