北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;清华大学唐建石获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;清华大学申请的专利后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119964616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782075.X，技术领域涉及：G11C11/407；该发明授权后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置是由唐建石;苏彦博;潘立阳;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置，其中，方法包括：根据满足预设制备要求的全后道兼容沟道材料构建多层无电容DRAM存储电路宏；基于后道兼容垂直互补场效应晶体管，构建外围电路；根据每层无电容DRAM存储电路宏和对应的外围电路构建多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏，并基于层间过孔，在目标硅基电路上堆叠多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏，以得到单片三维集成的全后道兼容无电容DRAM存储电路宏。由此，解决了当前基于硅基芯片制造工艺的无电容DRAM存储电路宏由于硅晶体管较高的漏电，使得整体存储保持时间较短、刷新频繁、功耗较高，不利于其实际应用，且存储外围电路在整个电路宏中的占据面积较大等问题。
本发明授权后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种后道兼容无电容DRAM存储电路宏构建方法，其特征在于，包括以下步骤： 确定满足预设制备要求的全后道兼容沟道材料，并利用所述全后道兼容沟道材料构建多层无电容DRAM存储电路宏； 基于预设的后道兼容垂直互补场效应晶体管，构建所述多层无电容DRAM存储电路宏中每层无电容DRAM存储电路宏对应的外围电路； 根据所述每层无电容DRAM存储电路宏和对应的外围电路构建多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏，并基于层间过孔，使得所述多层完整的后道兼容无电容DRAM存储电路宏在目标硅基电路上进行多层堆叠操作，以得到单片三维集成的全后道兼容无电容DRAM存储电路宏。
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