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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510115352.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路是由李明玉;杨思琦;邹瑜;李鹏设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路电源芯片设计领域，具体涉及一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路，所述电路由带隙基准电路，误差放大器，功率管PMOS管MP1，第二级放大管NMOS管MN1，电阻R4，负载电阻RLL，片内负载电容CLL，电阻R33、电容C11和NMOS管MN2组成的自适应零点模块、电阻R11和电阻R22组成的LDO的反馈网络、抑制输出电压上冲和下冲的模块构成；本发明通过上冲抑制电路和下冲抑制电路，实现对负载突变时产生的上冲和下冲的有效抑制以及缩短了上冲和下冲电压的恢复时间，并且上冲抑制电路仅产生少量的静态电流消耗，下冲抑制电路由于电容的作用在整个LDO工作状态下都不产生额外的静态消耗。

本发明授权一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于LDO的抑制上冲和下冲的瞬态增强电路，其特征在于，包括，带隙基准电路BG，误差放大器EA，功率管PMOS管MP1，放大管NMOS管MN1、MN2，电阻R1-R4，负载电阻RL，片内负载电容CL，电容C1，下冲抑制模块ReduceUndershoot以及上冲抑制模块ReduceOvershoot； 所述带隙基准电路BG与所述误差放大器EA正向输入端连接以提供基准参考电压VREF，其反向输入端连接反馈电压VFB； 所述误差放大器EA的输出端连接所述电阻R3的一端、第二级放大管NMOS管MN1和MN2的栅极； 所述电阻R3的另一端连接所述电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接所述放大管NMOS管MN2的漏极； 所述放大管NMOS管MN2的源极接地； 所述第二级放大管NMOS管MN1的源极接地，其漏极连接所述电阻R4的一端和功率管PMOS管MP1的栅极； 所述电阻R4的另一端作为整体电路的输入端并连接功率管PMOS管MP1的源极； 所述功率管PMOS管MP1的漏极作为整体电路输出端并连接负载电阻RL的一端、片内负载电容CL的一端、电阻R1的一端、下冲抑制模块ReduceUndershoot的输入端以及上冲抑制模块ReduceOvershoot的输出端； 所述负载电阻RL的另一端接地并连接所述片内负载电容CL的另一端、电阻R2的一端； 所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的另一端和所述上冲抑制模块ReduceOvershoot的输入端，并输出反馈电压VFB； 所述下冲抑制模块ReduceUndershoot的输出端连接所述误差放大器EA； 所述上冲抑制模块ReduceOvershoot，包括：NMOS管MN9～MN11、PMOS管MP6、MP7、等效失调电压Vos、电阻R4、基准参考电压VREF和固定偏置电流I1； PMOS管MP6、MP7的源极连接并连接固定偏置电流I1； PMOS管MP6的栅极连接等效失调电压Vos； PMOS管MP6的漏极连接NMOS管MN9的漏极和栅极以及NMOS管MN10的栅极； PMOS管MP7的栅极连接基准参考电压VREF，其漏极连接NMOS管MN10的漏极、NMOS管MN11的栅极； NMOS管MN9的源极与NMOS管MN10、NMOS管MN11的源极连接后接地； NMOS管MN11的漏极连接电阻R4的一端； 电阻R4的另一端连接所述下冲抑制模块ReduceUndershoot； 所述下冲抑制模块ReduceUndershoot，包括：电阻R5、R6和电容C2； 电阻R5的一端连接所述上冲抑制模块ReduceOvershoot作为输出端输出电压OUT； 电阻R5的另一端连接电容C2的一端； 电容C2的另一端连接电阻R6的一端； 电阻R6的另一端连接误差放大器EA。

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