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龙图腾网获悉深圳市同和光电科技有限公司;东莞市同和光电科技有限公司申请的专利具有背势垒的量子阱红外光电探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510097914.2，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权具有背势垒的量子阱红外光电探测器及其制造方法是由钟江;刘强;危功辉;肖继宗;张敏;谢胜杰设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有背势垒的量子阱红外光电探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于红外光电探测器技术领域，具体是一种具有背势垒的量子阱红外光电探测器及其制造方法。本发明的具有背势垒的量子阱红外光电探测器，包括GaAs衬底、有源层、电介质层、第一金属电极和第二金属电极，所述有源层包括发射极导电层、背势垒层、功能层、集电极导电层和红外探测层。本发明的制造方法包括：在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长形成发射极导电层、背势垒层、功能层、集电极导电层和红外探测层；除去在晶圆上第一指定区域的部分材料；在晶圆表面沉积电介质层；去除位于第二指定区域的电介质层；在去除了电介质层的第二指定区域沉积金属电极并进行热处理。本发明可提高红外光电探测器的比探测率。

本发明授权具有背势垒的量子阱红外光电探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.具有背势垒的量子阱红外光电探测器，其特征在于，包括GaAs衬底、有源层、电介质层、第一金属电极和第二金属电极，所述有源层包括发射极导电层、背势垒层、功能层、集电极导电层和红外探测层，所述发射极导电层、背势垒层、功能层、集电极导电层和红外探测层依次在GaAs衬底上层叠设置，所述发射极导电层背向GaAs衬底一侧的表面的至少一部分露出背势垒层外，所述电介质层覆盖在所述有源层的表面，所述第一金属电极与露出背势垒层外的发射极导电层连接，所述第二金属电极与所述集电极导电层连接； 所述GaAs衬底的厚度为50μm～1000μm，所述GaAs衬底的体电阻率大于107Ω·cm； 所述发射极导电层包括单层或多层的第一n+掺杂GaAs层，其中n+的掺杂浓度大于1018cm-3，所述发射极导电层的厚度为1nm～1000nm； 所述背势垒层至少包括朝背向发射极导电层方向依次层叠设置的n掺杂GaAs层、第一非掺杂GaAs层、p+掺杂GaAs层、第二非掺杂GaAs层;其中n掺杂GaAs层的厚度为1nm～1000nm，n的掺杂浓度为1016～1018cm-3; p+掺杂GaAs层的厚度为1nm～100nm，p+的掺杂浓度大于1017cm-3; 第一非掺杂GaAs层的厚度为1nm～100nm，第二非掺杂GaAs层的厚度为1nm～100nm； 所述集电极导电层至少包括朝背向功能层方向依次层叠设置的第三非掺杂GaAs层、第二n+掺杂GaAs层；所述红外探测层包括n+掺杂InxGa1-xAs层，其中第三非掺杂GaAs层的厚度为1nm～1000nm，n+掺杂GaAs层的厚度为1nm～1000nm，n+掺杂浓度大于1018cm-3，n+掺杂InxGa1-xAs层的厚度为1nm～100nm，n+掺杂浓度大于1018cm-3，x的范围为0.1～0.9。

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