中国科学技术大学陈涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510292620.5，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法是由陈涛;袁威设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及纳米电子器件技术领域，特别是涉及一种基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法。该方法包括：创建一定比例和幅度的正负脉冲序列，随机从脉冲序列中取出脉冲电压，从泊松分布中取出随机的时间间隔，按照脉冲的数量生成相应的随机脉冲序列。相比单次脉冲设置电导的方式，在随机脉冲设置电导的过程中因为正负脉冲的同时作用，能增加消除不完整通道的几率，从而在设置电导的过程中降低器件的噪声。该方法简化了降噪过程，提高了器件的稳定性和计算精度，适用于包括神经形态计算在内的多种应用场景。
本发明授权基于随机脉冲序列降低忆阻器噪声的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过随机脉冲序列调控忆阻器纳米细丝并降低噪声的方法，其包括以下步骤： 创建正负脉冲比例相同，正负脉冲幅度不同的电压序列； 使用随机函数从电压序列中取出脉冲幅度； 通过离散概率分布的函数生成不为1的随机时间间隔； 按照给定的脉冲数量重复操作生成随机脉冲序列的形式； 对忆阻器施加上述随机脉冲序列形式的信号，以调控忆阻器纳米细丝并降低噪声； 随机脉冲设置电导的过程中因为正负脉冲的同时作用，能增加消除不完整通道的几率，从而在设置电导的过程中降低器件的噪声； 随机脉冲序列设置的目标电导相比单次脉冲设置的目标电导噪声更低; 所述忆阻器为交叉结构的双层忆阻器; 所述忆阻器以Ti作为粘附层，Pt作为底部电极，HfO2和Al2O3作为功能层;以Al2O3作为绝缘层，并剥离形成通孔结构; 所述忆阻器以Ti作为功能电极，Pt作为保护层和顶部电极填充通孔; 所述忆阻器通过开关矩阵连接信号发生器和源表，利用源表来测试忆阻器在一定时间内的电流，以计算忆阻器的平均电导，设置一定阈值范围，如果在这个范围里，默认达到目标电导。
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