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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510096902.8，技术领域涉及：G01R33/18；该发明授权一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置是由张长庚;王锴;张海涛设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置，该装置采用双U型磁轭构建闭合磁路，可以有效减少漏磁通和法向涡流，提高测量精度，同时通过一个反射部件搭建L型光路，来解决双U型磁轭阻挡光路的问题。考虑到上磁轭和反射部件的重力均会对测量结果产生影响，通过设计亚克力支撑部件以及独立支撑的双层支撑桥结构来解决上述问题，采用本发明装置进行纳米晶合金的高频磁特性测量可以获得较为准确的测量结果。

本发明授权一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置在权利要求书中公布了：1.一种用于测量纳米晶合金的高频磁特性的装置，其特征在于，该装置采用双U型磁轭，其具体包括底板、下磁轭、左挡板、右挡板、第一支撑部件、第二支撑部件、感应绕组、激磁绕组、树脂骨架、第三支撑部件、第四支撑部件、双层支撑桥、夹具、反射部件、第五支撑部件、第六支撑部件、上磁轭； 使用螺栓将底板固定在隔振平台上，在底板的左、右两侧分别固定设置有正对的左挡板、右挡板，且在左挡板的右侧面上、右挡板的左侧面上居中且正对的各设置有一道沿竖直方向贯穿的槽口；“U”型的下磁轭开口朝上的设置在右挡板与左挡板之间，且其左侧的分支位于左挡板的右侧面上的槽口内，其右侧的分支位于右挡板的左侧面上的槽口内，且下磁轭在竖直方向的高度不低于上述两个槽口处的挡板部分的竖直方向高度； 在下磁轭的靠近左挡板一端的前、后侧各固定设置有一个第一支撑部件，该两个第一支撑部件前后正对设置且与下磁轭平行，下磁轭位于两个第一支撑部件的正中间位置；第二支撑部件为一个“口”型的框架结构部件，其通过螺钉水平的固定在两个第一支撑部件的顶面； 在两个第一支撑部件与右挡板之间的前、后侧各固定设置有一个第三支撑部件，该两个第三支撑部件前后正对设置且与下磁轭平行，下磁轭位于两个第三支撑部件的正中间位置；第四支撑部件为一个条形板，其通过螺钉水平的固定在两个第三支撑部件的顶面；双层支撑桥为中间位置设置有沿左右方向的矩形通孔的板状结构，其通过螺钉固定在第四支撑部件顶面上；双层支撑桥的矩形通孔的底面为第一层支撑桥，双层支撑桥的整体的顶面为第二层支撑桥，上述第一层支撑桥与第二层支撑桥平行，且第一层支撑桥的前后方向的长度不小于下磁轭的顶面的前后方向长度，矩形通孔的上下方向的高度不小于纳米晶合金样片的厚度； 左挡板的左侧部分的顶面为水平面，该顶面的高度与下磁轭在竖直方向的高度相等，该顶面的前后方向长度大于下磁轭的顶面的前后方向长度且两者位于同一水平面上；在左挡板的左侧部分的顶面的前后两端均设置有螺钉孔，该前后两端的螺钉孔之间的距离不小于下磁轭的顶面的前后方向长度；夹具通过螺钉固定在左挡板的左侧部分的顶面上，用以夹持纳米晶合金样片； 树脂骨架为中间尺寸较两端尺寸小的长方体结构，感应绕组沿前后方向绕在树脂骨架的中间位置，激磁绕组沿前后方向绕制在感应绕组的中间位置；将设置有感应绕组、激磁绕组的树脂骨架沿左右方向固定在第二支撑部件的顶面，且其左右方向的长度与第二支撑部件的左右方向的长度相等； 左挡板的左侧部分的顶面、下磁轭的顶面及双层支撑桥的第一层支撑桥均在同一水平面上且在左右方向上位置正对； 第五支撑部件通过螺栓固定在树脂骨架的顶面上，且第五支撑部件不与激磁绕组接触；第六支撑部件通过螺栓固定在第五支撑部件的顶面上，“U”型的上磁轭开口朝下的放置在第六支撑部件上；上磁轭与下磁轭的尺寸相同，两者沿竖直方向上下正对设置，且该两者之间预留有用于容纳纳米晶合金样片厚度的缝隙； 反射部件放置在第二层支撑桥上，其反射面朝向前侧设置，该反射面垂直于第二层支撑桥且与沿前后方向的垂直面呈45°夹角。

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