复旦大学朱银燕获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411819211.8，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法是由朱银燕;沈健;廖文涛设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于凝聚态物理和材料科学技术领域，具体为一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法。本发明采用脉冲激光沉积PLD方法，用脉冲激光轰击PZT靶材将单晶铁电PZT薄膜生长在单晶衬底上；沉积过程包括两个阶段：单晶层生长阶段和快速降温阶段；本发明方法简单易于操作，通过控制PLD生长时的激光能量、衬底沉积生长温度和氧压来实现超薄铁电单晶薄膜的生长。本发明中，利用高能电子衍射仪RHEED实时监控生长过程，确保了生长时薄膜晶体质量及厚度，通过原子力显微镜观察所制备的样品表明形貌，证实了其表面的原子级平整度；本发明在单晶衬底上生长的PZT薄膜，在最薄只有2层晶格时依然保持铁电性，并可实现铁电极化翻转。
本发明授权一种超薄单晶铁电PZT薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄单晶铁电PZT薄膜的制备方法，其特征在于，所制备的超薄单晶铁电PZT膜在低至2层晶胞厚度时，仍然具有铁电性且可实现铁电极化翻转；其制备方法如下： 采用脉冲激光沉积方法，通过脉冲激光轰击PZT靶材将单晶铁电PZT薄膜生长在单晶衬底上；沉积过程包括两个阶段：单晶层生长阶段、快速降温阶段；其中： 单晶层生长阶段，通过控制脉冲激光能量、衬底生长温度和氧压条件参数在单晶衬底上连续生长指定层数的PZT超薄单晶薄膜；生长条件参数为：衬底加热温度在600-650℃范围之间，激光能量在20-30mJ之间，激光频率在3-5Hz之间，氧压在1.0×10-2mbar-1.2×10-1mbar之间； 快速降温阶段，PZT超薄单晶薄膜生长结束后，通过控制PLD加热装置参数，快速将PZT样品从生长温度降至室温；降温速度为：45-55℃min。
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