复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司陈琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410974703.8，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法是由陈琳;于佳杰;王天宇;孟佳琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法，包括：衬底；底电极层包括多个叠层结构，底电极层包括多个并列的台阶结构，所有台阶结构设于衬底上；每一个台阶结构包括第一金属层、多个叠层结构和第一绝缘层；第一金属层设于衬底上，所有叠层结构依次堆叠于第一金属层上，第一绝缘层设于顶部的叠层结构上；铁电材料层覆盖于底电极层；顶电极层覆盖于铁电材料层。本发明具有能在平面器件的面积不减小的前提下，提高剩余极化和电容值，提高铁电存储器的性能。
本发明授权一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维集成铪基铁电器件，其特征在于，包括： 衬底； 底电极层，所述底电极层包括多个并列的台阶结构，所有所述台阶结构设于所述衬底上；每一个所述台阶结构包括第一金属层、多个叠层结构和第一绝缘层；所述第一金属层设于所述衬底上，所有所述叠层结构依次堆叠于所述第一金属层上，所述第一绝缘层设于顶部的所述叠层结构上。 铁电材料层，所述铁电材料层覆盖于所述底电极层； 顶电极层，所述顶电极层覆盖于所述铁电材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励