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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于单像素成像的编码盘及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119573783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411690063.4，技术领域涉及：G01D5/347；该发明授权用于单像素成像的编码盘及其制备方法是由全保刚;张越溪;李明飞;吴令安设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于单像素成像的编码盘及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于单像素成像的编码盘及其制备方法。一种用于单像素成像的编码盘的制备方法可包括：在透明衬底上形成光刻胶层；对所述光刻胶层执行曝光和显影，以形成光刻胶图案层，所述光刻胶图案层具有开口图案以暴露所述衬底的一部分；在所述光刻胶图案层和所述衬底的暴露部分上依次定向沉积接触层和反射金属层；剥离所述光刻胶图案层和位于所述光刻胶图案层上的接触层和反射金属层，留下位于所述衬底上的接触层和反射金属层，其中剥离所述光刻胶图案层的区域形成所述编码盘的编码区域中的透射区图案，留下位于所述衬底上的接触层和反射金属层的区域形成所述编码盘的编码区域中的反射区图案，其中，所述接触层包括Ti层，所述反射金属层包括Ag层。

本发明授权用于单像素成像的编码盘及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于单像素成像的编码盘的制备方法，包括： 在透明衬底上形成光刻胶层； 对所述光刻胶层执行曝光和显影，以形成光刻胶图案层，所述光刻胶图案层具有开口图案以暴露所述衬底的一部分； 在所述光刻胶图案层和所述衬底的暴露部分上依次定向沉积接触层和反射金属层，其中所述接触层为所述反射金属层提供生长界面，并且还与所述反射金属层配合而在成像波长范围内提供可见光或电磁波反射性； 剥离所述光刻胶图案层和位于所述光刻胶图案层上的接触层和反射金属层，留下位于所述衬底上的接触层和反射金属层，其中剥离所述光刻胶图案层的区域形成所述编码盘的编码区域中的透射区图案，留下位于所述衬底上的接触层和反射金属层的区域形成所述编码盘的编码区域中的反射区图案， 其中，所述接触层包括Ti层，所述反射金属层包括Ag层, 其中，所述方法还包括： 在形成光刻胶层之前，在所述衬底上形成增粘剂层；以及 在对所述光刻胶层执行曝光和显影以形成光刻胶图案层之后，刻蚀去除所述增粘剂层的通过所述光刻胶图案层暴露的部分，以暴露所述衬底， 其中，在剥离所述光刻胶图案层时，同时剥离位于所述光刻胶图案层下方的所述增粘剂层的剩余部分， 其中，在依次定向沉积接触层和反射金属层时，在所述反射金属层上定向沉积透明保护层， 在剥离所述光刻胶图案层时，同时剥离所述光刻胶图案层上的接触层、反射金属层和透明保护层。

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