深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司邱岩栈获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310949918.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由邱岩栈;张中天设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：提供包括衬底、衬底上间隔的多个鳍片和横跨多个鳍片的栅极结构的衬底结构；在栅极结构上形成有开口的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的牺牲层；形成覆盖牺牲层的第二绝缘层；去除第二绝缘层覆盖牺牲层侧壁外其他区域的部分和牺牲层，保留第二绝缘层覆盖牺牲层侧壁的部分作为侧墙；形成围绕侧墙的第三绝缘层；去除侧墙以形成第三绝缘层限定的沟槽，沟槽第一部分在衬底上的正投影位于开口在衬底上的正投影内，并与栅极结构在衬底上的正投影交叠；执行刻蚀，以沿沟槽的第一部分去除栅极结构的一部分，从而截断栅极结构。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上间隔的多个鳍片、以及横跨所述多个鳍片的栅极结构； 在所述栅极结构上形成具有开口的第一掩膜层； 在所述第一掩膜层上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成图案化的牺牲层； 形成覆盖所述牺牲层的第二绝缘层； 去除所述第二绝缘层覆盖所述牺牲层的侧壁外的其他区域的部分和所述牺牲层，保留所述第二绝缘层覆盖所述牺牲层的侧壁的部分作为侧墙； 形成围绕所述侧墙的第三绝缘层； 去除所述侧墙，以形成由所述第三绝缘层限定的沟槽，所述沟槽的第一部分在所述衬底上的正投影位于所述开口在所述衬底上的正投影之内，并且与所述栅极结构在所述衬底上的正投影交叠；以及 执行刻蚀，以沿着所述沟槽的所述第一部分去除所述栅极结构的一部分，从而截断所述栅极结构。
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