厦门大学薛晨阳获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119469423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510040220.5，技术领域涉及：G01J5/12；该发明授权一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器及其制备方法是由薛晨阳;海振银;刘志春;张翼航;苏智轩设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器及其制备方法，包括敏感芯体和封装管壳，敏感芯体包括钨铼丝基底、绝缘薄膜层和正极薄膜层，绝缘薄膜层通过浸渍提拉法在钨铼丝基底上形成梯度结构，梯度结构包括至少一层较大孔隙率的底层绝缘层和至少两层致密的上层绝缘层，钨铼丝基底与正极薄膜层分别连接有金属丝，敏感芯体与金属丝连接后固定于封装管壳内。本发明的同轴温度传感器通过检测高温物体发出的热辐射能来确定物体的温度，具有抗电磁干扰、不干扰流场、灵敏度高、尺寸小、结构精巧紧凑等优点。
本发明授权一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于辐射高温测定的同轴温度传感器，其特征在于，包括敏感芯体和封装管壳，所述敏感芯体包括钨铼丝基底、绝缘薄膜层和正极薄膜层，所述绝缘薄膜层通过浸渍提拉法在所述钨铼丝基底上形成梯度结构，所述梯度结构包括至少一层具有较大孔隙率的底层绝缘层和至少两层致密的上层绝缘层，所述钨铼丝基底与所述正极薄膜层分别连接有金属丝，所述敏感芯体与所述金属丝连接后固定于所述封装管壳内；所述绝缘薄膜层通过下述方式制备：配置绝缘材料溶胶，将预处理后的所述钨铼丝基底浸入所述绝缘材料溶胶，通过浸渍提拉设备将所述钨铼丝基底缓慢从所述绝缘材料溶胶中提拉多次，制备底层绝缘层，烘干后高温热处理使得所述底层绝缘层形成孔隙率较大的结构；重复处理制备上层绝缘层，并使得所述上层绝缘层致密。
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