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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411683935.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法是由孙鹏菊;周兴豪;刘青松;李凯伟;欧阳铭熙;唐晨皓设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法在说明书摘要公布了：发明公开一种基于关断振荡的SiCMOSFET栅氧层退化监测方法，利用源极杂散电感电压vvcircir测量SiCMOSFET关断时的漏源极电流变化率diiDSDSdtt，基于diiDSDSdtt中阈值电压VVTHTH的负温敏性和电子迁移率μμ的正温敏性的抵消作用，提出通过调节关断时的驱动电阻RRGG和负压VVEEEE实现源极杂散电感电压负峰值vvcir_mincir_min的零温敏性，并在选定的监测驱动电阻RRG_MG_M和关断栅压VVEE_MEE_M下监测SiCMOSFET栅氧层退化程度。本监测方法通用性强，对不同型号的SiCMOSFET的栅氧层退化都有较好的监测效果；受温度影响极小，利于在温度波动大的环境下工作；不需要被监测器件的引脚作为测量接口，对系统侵入性小；参数测量方法多且成熟；有较大的在线应用潜力。

本发明授权一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于关断振荡的SiCMOSFET栅氧层退化监测方法，其特征在于，利用源极杂散电感电压vcir测量SiCMOSFET关断时的漏源极电流变化率diDSdt，基于diDSdt中阈值电压VTH的负温敏性和电子迁移率μ的正温敏性的抵消作用，通过调节关断时的驱动电阻RG和负压VEE实现源极杂散电感电压负峰值vcir_min的零温敏性，并在选定的监测驱动电阻RG_M和关断栅压VEE_M下监测SiCMOSFET栅氧层退化程度，根据源极杂散电感电压负峰值vcir_min变化程度可判断栅氧层健康状态； 具体步骤包括：SiCMOSFET工作在正常的RG和VEE下；定期切换RG和VEE为监测设计的RG_M和VEE_M，并测量源极杂散电感电压负峰值vcir_min和健康状态下的源极杂散电感电压负峰值vcir_min比较； 若vcir_min减小，则判断所检测SiCMOSFET发生正偏置温度不稳定性，反之则为负偏置温度不稳定性； 由于栅氧层退化为长时间尺度老化机制，源极杂散电感电压负峰值vcir_min测量周期可设置为10小时至100小时中的任意时间，因此所提出监测方法对SiCMOSFET正常工作影响极小。

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