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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体的加工方法、电子设备及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119376188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410662713.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权半导体的加工方法、电子设备及计算机可读存储介质是由杨皓宇;白金宝设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体的加工方法、电子设备及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，揭示一种半导体的加工方法、电子设备及计算机可读存储介质，该方案在对晶圆前层光刻完成后，获取晶圆的翘曲信息，并基于晶圆的翘曲信息计算目标套刻对准标记的位置偏移量，实现了精准定位目标套刻对准标记的位置信息。后续制程中可以利用该位置偏移量，具体可以是在对晶圆当层进行光刻处理时基于位置偏移量对晶圆当层的套刻对准标记位置进行补偿，从而降低套刻误差。并且，本申请无需改变原有的光刻工艺流程，没有物料的增加及改变。

本发明授权半导体的加工方法、电子设备及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体的加工方法，其特征在于，包括： 对晶圆前层进行光刻处理； 在对晶圆前层光刻完成后，获取所述晶圆的翘曲信息，所述晶圆的翘曲信息包括位于所述晶圆的翘曲位置与非翘曲位置之间的临界位置和多个采样点位置，其中，所述多个采样点沿所述晶圆的径向间距分布且位于所述临界位置与所述晶圆的边缘位置之间； 获取目标套刻对准标记的基线位置，所述目标套刻对准标记为形成在所述晶圆前层的套刻对准标记； 基于所述临界位置、所述多个采样点位置进行曲线拟合，获得对应的曲线函数； 以所述临界位置与所述晶圆的中心位置的距离作为积分下限，以发生翘曲后所述目标套刻对准标记与所述晶圆的中心位置的实际距离作为积分上限，基于所述曲线函数构建弧长积分公式； 将所述临界位置与所述目标套刻对准标记的基线位置的距离设定为弧长积分值； 基于所述弧长积分值和所述弧长积分公式，获得所述翘曲信息下所述目标套刻对准标记与所述晶圆的中心位置的实际距离； 将所述实际距离代入所述曲线函数，获得所述翘曲信息下所述目标套刻对准标记的实际位置； 基于所述实际位置和所述基线位置获得位移矢量，作为所述目标套刻对准标记的位置偏移量； 输出所述位置偏移量； 基于输出的所述位置偏移量对晶圆当层对应的目标套刻对准标记的基线位置进行补偿，获得补偿后的位置； 基于所述补偿后的位置对晶圆当层进行光刻处理。

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