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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411502777.8，技术领域涉及：H01J1/304；该发明授权一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法是由张景文;何来;方春培;刘鑫;马烁尘;王锦鹏;侯洵设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法，在衬底上生长有GaN外延层，在所述GaN外延层上生长有SiO22层，在所述SiO22层之上依次沉积第一SiN介质保护层、单晶金和第二SiN介质保护层，在单晶金和GaN之间设有电极，底部的外延层为发射阴极，顶部的单晶金层为接收极，中间的空气沟道通过BOE溶液刻蚀得到，空气沟道的长度与SiO22层的厚度相当。本发明可以在大幅降低发射电子所需电压的同时兼顾稳定的发射电流。更重要的是，该器件的结构实现工艺较为简单高效，成本低廉，通过BOE溶液进行的湿法刻蚀形成空气沟道，兼具保持较好的适合大规模的器件集成的能力。

本发明授权一种宽束高亮度场发射电子源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽束高亮度场发射电子源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上利用外延方法生长GaN外延层； 在所述GaN外延层上利用等离子增强化学气相沉积生长SiO2层； 在掩膜版的辅助下，利用等离子增强化学气相沉积在所述SiO2层上生长第一SiN介质保护层，利用磁控溅射工艺在所述第一SiN介质保护层生长单晶金层，在所述第一SiN介质保护层上且位于所述单晶金层的一侧，利用等离子增强化学气相沉积生长第二SiN介质保护层，取下掩膜版，形成具有SiN保护的孔结构的单晶金层；所述第二SiN介质保护层和所述单晶金层位于同一层，且第二SiN介质保护层位于单晶金层和孔结构之间；孔结构贯穿第一SiN介质保护层和第二SiN介质保护层； 使用BOE溶液对孔结构底部的SiO2层进行刻蚀，并暴露出GaN外延层，SiO2层中刻蚀后形成空气沟道，暴露出的GaN外延层为发射阴极，单晶金层为接收极；使空气沟道纵向长度与SiO2层厚度相等，空气沟道纵向长度为40nm~60nm； 孔结构为多孔结构，单个孔的截面形状为圆形，单个孔的直径为50nm~150nm。

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