北京航空航天大学吕纲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411259793.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件是由吕纲;丁晓峰;许童童;彭律章;李林;程若昀设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件，属于半导体功率器件制造领域。本发明提出的外延结构包括设置在缓冲层上方的内嵌势垒层和设置在缓冲层下方的阶梯梯度AlGaN缓冲层，内嵌势垒层由AlN层和渐变组分背势垒层组成，其中AlN层可以减少背势垒对二维电子气可能产生的合金无序散射，进而提高电子迁移率，通过采用渐变组分背势垒层在抑制缓冲层陷阱的同时避免了寄生通道的产生。加入的阶梯梯度AlGaN缓冲层包括依次生长了四层或以上的阶梯梯度AlGaN层，Al组分从底层到顶层逐渐降低，最下层接近AlN，最上层接近GaN，可以使得其上生长的GaN晶体质量更好，并且可以减少缓冲层内部陷阱。
本发明授权一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件在权利要求书中公布了：1.一种基于内嵌势垒层的新型外延结构，其特征在于，所述外延结构自下而上依次包括衬底、成核层、阶梯梯度AlGaN缓冲层、缓冲层、渐变组分背势垒层、AlN层、UIDGaN层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层； 所述渐变组分背势垒层的结构通式为AlxGa1-xN或者InxGa1-xN；x=0-0.1，靠近AlN层侧和靠近缓冲层上侧的渐变组分背势垒层中的渐变成份Al、In成分为0，远离AlN薄层和缓冲层上侧逐渐增加至0.1。
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