北京怀柔实验室;清华大学王福欢获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室;清华大学申请的专利阻隔层及其制备方法与固体氧化物电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411398913.3，技术领域涉及：H01M8/126；该发明授权阻隔层及其制备方法与固体氧化物电池是由王福欢;张骏;周玉存;李建秋;徐梁飞设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻隔层及其制备方法与固体氧化物电池在说明书摘要公布了：本发明公开了阻隔层及其制备方法与固体氧化物电池，属于固体氧化物电池技术领域。该阻隔层的制备方法包括：至少将铈基氧化物粉体、助烧剂和溶剂混合均匀，得到一浆料；再将浆料旋涂于基底上，经烧结后，得到阻隔层。本发明的阻隔层是通过该制备方法制得的。本发明的固体氧化物电池至少包括该阻隔层。本发明制备的阻隔层具有致密度高、均匀度高、界面结合强度高等优点，且其制备工艺和原料体系较为简单，该阻隔层适用于大面积单体电池。
本发明授权阻隔层及其制备方法与固体氧化物电池在权利要求书中公布了：1.一种阻隔层的制备方法，其包括以下步骤： S1、至少将铈基氧化物粉体、助烧剂和溶剂混合均匀，得到一浆料； S2、将所述浆料旋涂于基底上，经烧结后，得到所述的阻隔层； 其中，所述铈基氧化物粉体的平均粒径为0.01～1μm； 所述助烧剂为Cu和或Bi的氧化物； 以所述浆料的质量为100％计，其中的所述铈基氧化物粉体的含量为20％～50％； 所述助烧剂与所述铈基氧化物粉体的质量比为0.5％～5％； 所述旋涂的速率为500～5000rpm，所述旋涂的时间为0.5～5min，所述旋涂的次数为1次； 所述阻隔层的厚度为0.5～5μm。
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