买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海瞻芯电子科技股份有限公司申请的专利碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397957.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件是由黄海涛;张永熙;陈伟;仲雪倩;陈思哲设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅LDMOS的结构及其形成方法，包括：形成第一阱区域；形成第二阱区域，第二阱区域与第一阱区域部分重叠，并且第二阱区域的注入深度小于第一阱区域的入深度；成第三区域，第三区域包含于第一阱区域中，且与第二阱区域部分重叠，并且第三区域的注入深度小于第二阱区域的注入深度；在第二阱区域的表面制作源极区域，其中，源极区域包括N+区域和P+区域，并且源极区域与第一阱区域部分重叠；在第三区域的表面制作漏极区域；在源极区域和第三区域之间的表面制作栅极区域，并形成栅极、源极、漏极的电极。本发明的优点在于，通过此方法得到的期间具有高耐压、尺寸小的特点，且制造工艺简单，有利于提高成品的良品率。

本发明授权碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅LDMOS结构的形成方法，其特征在于，包括： 在衬底上生长外延层，所述外延层为P型； 在所述外延层的表面居中位置注入N型离子，形成第一阱区域； 在所述外延层的表面的边缘位置注入P型离子，形成第二阱区域，所述第二阱区域与所述第一阱区域部分重叠，并且所述第二阱区域的注入深度小于所述第一阱区域的注入深度； 在所述外延层的表面注入N型离子，形成第三区域，所述第三区域包含于所述第一阱区域中，且与所述第二阱区域部分重叠，并且所述第三区域的注入深度小于所述第二阱区域的注入深度，所述第三区域的注入浓度与所述第二阱区域的注入浓度相匹配； 在所述第二阱区域的表面制作源极区域，其中， 所述源极区域包括N+区域和P+区域，并且所述源极区域与所述第一阱区域部分重叠，所述部分重叠是指所述第一阱区域的侧边与所述N+区域相交，或者与所述P+区域相交，但是所述侧边不与所述N+区域或所述P+区域的外侧边界相重合； 在所述第三区域的表面制作漏极区域； 在所述源极区域和第三区域之间的表面制作栅极区域，并形成栅极、源极、漏极的电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海瞻芯电子科技股份有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋四路99弄创新魔坊一期3号楼8楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。