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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种背接触电池的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411295981.7，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种背接触电池的制造方法是由周子肖;武禄;汝小宁;袁陨来;曲铭浩设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种背接触电池的制造方法，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池的工作性能。背接触电池的制造方法包括：提供一半导体基底。沿半导体基底的厚度方向，在半导体基底的第一面上依次形成层叠的第一界面钝化层和第一掺杂硅层。在第一掺杂硅层背离半导体基底一侧的部分区域上形成绝缘掩膜图案。去除层叠的第一界面钝化层和第一掺杂硅层暴露在绝缘掩膜图案之外的部分。在第一面暴露在绝缘掩膜图案之外的区域表面和第二面进行制绒处理。在半导体基底的第二面上形成第一钝化层。在层叠的第一界面钝化层和第一掺杂硅层上、以及第一面上依次形成层叠的第二界面钝化层和第二掺杂硅层。选择性刻蚀层叠的第二界面钝化层和第二掺杂硅层。

本发明授权一种背接触电池的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体基底；所述半导体基底具有相对的第一面和第二面； 沿所述半导体基底的厚度方向，在所述半导体基底的第一面上依次形成层叠的第一界面钝化层和第一掺杂硅层； 在所述第一掺杂硅层背离所述半导体基底一侧的部分区域上形成绝缘掩膜图案； 去除未被所述绝缘掩膜图案覆盖的所述第一界面钝化层和所述第一掺杂硅层； 对所述第一面暴露在所述绝缘掩膜图案之外的区域和所述第二面进行制绒处理； 在所述半导体基底的第二面上形成第一钝化层的同时，在所述半导体基底的第一面整面上形成所述第一钝化层；所述第一钝化层用于提高所述第一掺杂硅层的氢钝化效果； 在位于所述半导体基底的所述第二面上的所述第一钝化层背离所述半导体基底的一侧形成减反射层； 在形成所述减反射层后，去除位于所述半导体基底的第一面上的所述第一钝化层； 在去除位于所述半导体基底的第一面上的所述第一钝化层后，沿所述半导体基底的厚度方向，在所述第一面上依次形成层叠的第二界面钝化层和第二掺杂硅层；所述第二掺杂硅层和所述第一掺杂硅层的导电类型相反； 去除位于所述第一界面钝化层和所述第一掺杂硅层上的部分所述第二界面钝化层和所述第二掺杂硅层，以露出部分所述第一界面钝化层和所述第一掺杂硅层。

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