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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高温pin紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411221625.0，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种高温pin紫外探测器及其制备方法是由杜丰羽;龚志鹏;袁昊;宋庆文;周瑜;汤晓燕;韩超;张玉明设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高温pin紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高温pin紫外探测器，属于微电子技术领域，包括自下而上层叠设置的4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC外延层的两侧通过刻蚀形成呈倾角台面结构；4H‑SiC接触层的中间刻蚀有若干倒梯形沟槽；器件的整个上表面覆盖有钝化层；P型和N型欧姆接触金属分别设置在倾角台面结构的下台面和上台面；且P型和N型欧姆接触金属的上方设置有金属Pad；金属Pad和PN型欧姆接触金属之间还设有扩散阻挡层。该结构设计提升了欧姆接触的热稳定性以及在高温环境下的寿命，从而提升了器件性能。

本发明授权一种高温pin紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高温pin紫外探测器，其特征在于，包括4H-SiC衬底1、4H-SiC外延层2、4H-SiC吸收层3、4H-SiC接触层4、钝化层5、P型欧姆接触金属6、N型欧姆接触金属7、金属Pad8以及扩散阻挡层9； 所述4H-SiC衬底1、所述4H-SiC外延层2、所述4H-SiC吸收层3以及所述4H-SiC接触层4自下而上层叠设置； 所述4H-SiC接触层4、所述4H-SiC吸收层3以及所述4H-SiC外延层2的两侧通过刻蚀形成呈倾角台面结构；其中，所述4H-SiC接触层4的上表面形成所述倾角台面结构的上台面，所述4H-SiC接触层4的侧壁、所述4H-SiC吸收层3的侧壁以及部分所述4H-SiC外延层2的侧壁一起形成所述倾角台面结构的倾斜侧壁；所述4H-SiC外延层2两侧的上表面形成所述倾角台面结构的下台面； 所述4H-SiC接触层4的中间刻蚀有若干倒梯形沟槽，所述若干倒梯形沟槽自所述4H-SiC接触层4的上表面向下延伸至所述4H-SiC接触层4内部； 所述钝化层5覆盖整个器件的上表面； 所述P型欧姆接触金属6设置在所述倾角台面结构的下台面处，包括依次堆叠的NiWTaSi2TiPt； 所述N型欧姆接触金属7设置在所述倾角台面结构的上台面处，包括依次堆叠的TiTaSi2TiPt； 所述金属Pad8设置在所述P型欧姆接触金属6和所述N型欧姆接触金属7上方； 所述金属Pad8和所述P型欧姆接触金属6之间、所述金属Pad8和所述N型欧姆接触金属7之间还设置有扩散阻挡层9，所述扩散阻挡层9包括金属TiPt。

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