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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利套刻精度误差量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411464876.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻精度误差量测方法是由卞玉洋;刘必秋;张聪设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻精度误差量测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻精度误差量测方法，包括：步骤一、设计一套包括前层和当层2DOVL标识的2DOVL标识组。步骤二、建立OCD模型，包括：步骤21、在第一晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法进行量测并获取第一光谱数据。步骤22、采用第二种OVL量测方法进行量测并获得第一OVL结果；第二种OVL量测方法包括BSEOVL量测方法。步骤23、采用第一OVL结果作为参考并基于第一光谱数据进行建模并得到OCD模型。步骤三、在第二晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法进行量测并获取第二光谱数据，将第二光谱数据和OCD模型的所述第一光谱数据进行匹配并获得第二OVL结果。本发明能采用OCD量测实现2DOVL标识图形的OVL测量，能同时提高量测速度和量测准确性。

本发明授权套刻精度误差量测方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻精度误差量测方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、设计一套2DOVL标识组，包括前层2DOVL标识和当层2DOVL标识； 步骤二、建立OCD模型，包括： 步骤21、在第一晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法对所述第一晶圆上的所述2DOVL标识组进行量测并获取第一光谱数据； 步骤22、采用第二种OVL量测方法对所述第一晶圆上的所述2DOVL标识组进行量测并获得第一OVL结果；所述第二种OVL量测方法包括BSEOVL量测方法、基于二次电子的OVL量测方法或基于TEM切片的OVL量测方法； 步骤23、采用所述第一OVL结果作为参考并基于所述第一光谱数据进行建模并得到所述OCD模型； 步骤三、在第二晶圆上完成当层光刻工艺后，采用OCD量测方法对所述第二晶圆上的所述2DOVL标识组进行量测并获取第二光谱数据，将所述第二光谱数据和所述OCD模型的所述第一光谱数据进行匹配并获得第二OVL结果； 所述前层2DOVL标识基于前层工艺需求设计，所述前层2DOVL标识采用2D光栅结构； 所述前层2DOVL标识的各边长都大于入射光斑最长轴； 所述前层2DOVL标识的2D光栅结构由第一块状结构二维排列而成；所述第一块状结构的二维排列为周期排列或非周期排列； 所述当层2DOVL标识基于当层工艺需求设计，所述当层2DOVL标识采用2D光栅结构； 所述当层2DOVL标识的各边长都大于入射光斑最长轴； 所述当层2DOVL标识的2D光栅结构由第二块状结构二维排列而成；所述第二块状结构的二维排列为周期排列或非周期排列。

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