长光禹辰信息技术与装备(青岛)有限公司杨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉长光禹辰信息技术与装备(青岛)有限公司申请的专利余弦校正器及其优化设计方法、装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119165653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411402654.7,技术领域涉及:G02B27/00;该发明授权余弦校正器及其优化设计方法、装置是由杨斌;卢天娇;张军强;李先峰;马桂仓设计研发完成,并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本余弦校正器及其优化设计方法、装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种余弦校正器及其优化设计方法、装置,余弦校正器包括余弦校正器本体和挡光环,余弦校正器本体设置于挡光环内,方法包括:获得第一表达式、第二表达式,第一表达式是关于入射光入射至余弦校正器本体上表面的损失光通量,第二表达式是关于入射光入射至余弦校正器本体侧面的补偿光通量,获得误差表达式,误差表达式描述了补偿光通量与损失光通量的差量与入射光的入射角、余弦校正器的结构参数的关系,利用误差表达式确定出余弦校正器的结构参数的数据,使根据误差表达式计算的在入射光的入射角范围内补偿光通量与损失光通量的差量总和满足要求。本发明实现了对余弦校正器的优化设计,使余弦校正器的余弦校正误差能够满足要求。
本发明授权余弦校正器及其优化设计方法、装置在权利要求书中公布了:1.一种余弦校正器优化设计方法,其特征在于,所述余弦校正器包括余弦校正器本体和挡光环,所述余弦校正器本体设置于所述挡光环内,使得入射光入射至所述余弦校正器本体的上表面或者所述余弦校正器本体的与所述挡光环的内表面具有间隔的侧面,透过所述余弦校正器本体后入射至探测器;所述余弦校正器优化设计方法包括: 确定所述余弦校正器影响余弦校正误差的结构参数,所述结构参数包括所述余弦校正器本体的上表面尺寸、所述余弦校正器本体与所述挡光环的内表面具有间隔的侧面尺寸以及所述余弦校正器本体的侧面到所述挡光环的内表面的间隔距离; 获得第一表达式,所述第一表达式描述了损失光通量与入射光的入射角、所述余弦校正器的所述结构参数的关系,所述损失光通量为入射光入射至所述余弦校正器本体的上表面,透过所述余弦校正器本体并入射至所述探测器过程中损失的光通量; 获得第二表达式,所述第二表达式描述了补偿光通量与入射光的入射角、所述余弦校正器的所述结构参数的关系,所述补偿光通量为入射光入射至所述余弦校正器本体的侧面,透过所述余弦校正器本体并入射至所述探测器的光通量; 根据所述第一表达式、所述第二表达式获得误差表达式,所述误差表达式描述了所述补偿光通量与所述损失光通量的差量,与入射光的入射角、所述余弦校正器的所述结构参数的关系,并利用所述误差表达式确定出所述余弦校正器的所述结构参数的数据,使得到的所述余弦校正器,根据所述误差表达式计算获得的在入射光的入射角范围内所述补偿光通量与所述损失光通量的差量总和满足要求。
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