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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种互补场效应晶体管及其制造方法、一种静态随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411297206.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种互补场效应晶体管及其制造方法、一种静态随机存取存储器是由殷华湘;姚佳欣;魏延钊;曹磊设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种互补场效应晶体管及其制造方法、一种静态随机存取存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种互补场效应晶体管及其制造方法、一种静态随机存取存储器，方法包括：提供衬底，形成叠层结构，在多个待填充缝隙中形成第二类型功函数层，填充保护材料形成保护层，利用各向异性工艺刻蚀第一厚度的保护层，继续利用各向同性工艺刻蚀第二厚度的保护层，第二厚度和待填充缝隙的宽度的12之间的差值小于目标阈值，也就是说，通过先利用各向异性工艺刻蚀保护层第一厚度，而后继续利用各向同性工艺刻蚀保护层第二厚度，从而实现对保护层的精确刻蚀。由此可见，利用各向异性刻蚀结合各向同性刻蚀能够实现对保护层的精准刻蚀，实现精确控制保护层的位置，进而避免功函数层覆盖错误的晶体管，降低晶体管类型混淆的风险。

本发明授权一种互补场效应晶体管及其制造方法、一种静态随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种互补场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，在所述衬底的一侧形成多个由第一半导体层和第二半导体层交替层叠的叠层结构，沿着垂直于所述衬底所在平面的方向，所述叠层结构包括位于中间区域的缓冲层； 对所述叠层结构和部分厚度的衬底进行刻蚀形成鳍片结构，所述鳍片结构包括顶部结构、底部结构和衬底结构，所述顶部结构和所述底部结构利用所述缓冲层分隔，在两个衬底结构之间形成埋入电源线； 刻蚀所述顶部结构、所述缓冲层和所述底部结构，形成顶部源极区域、顶部漏极区域、底部源极区域和底部漏极区域，所述顶部源极区域和所述顶部漏极区域之间为顶部沟道区域，所述底部源极区域和所述底部漏极区域之间为底部沟道区域；在所述顶部结构的侧壁和所述底部结构的侧壁形成内侧墙； 在所述底部源极区域和底部漏极区域形成底部源极和底部漏极； 在所述底部源极和所述底部漏极上形成埋入电源连接层、底部接地连接层、底部字线连接层、底部位线连接层、第一存储底部电极、第二存储底部电极，所述埋入电源连接层和所述埋入电源线电连接； 在所述埋入电源连接层、所述底部接地连接层、所述底部字线连接层、所述底部位线连接层、所述第一存储底部电极和所述第二存储底部电极上形成顶部源极和顶部漏极； 去除所述顶部沟道区域和所述底部沟道区域的所述第一半导体层，所述第二半导体层之间形成多个待填充缝隙，在多个所述待填充缝隙中形成第二类型功函数层； 在多个所述待填充缝隙中填充保护材料形成保护层，利用各向异性工艺刻蚀第一厚度的所述保护层，继续利用各向同性工艺刻蚀第二厚度的所述保护层，沿着垂直于所述底部源极和所述底部漏极之间连线的平面方向，所述第二厚度和所述待填充缝隙的宽度的12之间的差值小于目标阈值； 去除未被所述保护层覆盖的待填充缝隙中的第二类型功函数层，在未被所述保护层覆盖的待填充缝隙中形成第一类型功函数层； 去除所述保护层； 在多个所述待填充缝隙填充栅极，所述栅极环绕所述第二半导体层，多个所述第二半导体层构成的叠层分别形成顶部沟道结构和底部沟道结构； 在所述顶部源极和所述顶部漏极上分别形成顶部接地连接层、顶部字线连接层、顶部位线连接层、第一存储顶部电极和第二存储顶部电极，所述顶部接地连接层和底部接地连接层连接。

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