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龙图腾网获悉重庆中科渝芯电子有限公司申请的专利一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411235998.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法是由林成鹏;刘青;刘建;甘和红;税国华;阚玲;杨法明;李光波;龚榜华;陆泽灼;殷万军;张金龙设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法，步骤为：1在衬底上形成A个埋层区和多个隔离区。2形成场区。3形成第一基区和第二基区。4利用掩膜图形刻蚀第一栅氧层，再次氧化生长第二栅氧层和第三栅氧层，形成厚薄栅氧。5形成MOS管的栅氧多晶。6形成第一发射区，第一基极重接触区，第一CMOS源漏区，第二DMOS源漏。7形成第二发射区，第二基极重接触，第二CMOS源漏区，第三DMOS源漏区。8形成第一介质层。9利用掩膜版刻蚀出CT孔。进行金属淀积，利用掩膜图形刻蚀出金属端头，形成BJT,CMOS，DMOS器件。本发明在不增加光刻层的情况下，实现了互补双极工艺，丰富了器件可选择种类，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域。

本发明授权一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在衬底上形成A个埋层区和多个隔离区12；A个埋层区包括B个第一埋层区10，C个第二埋层区11，D个第三埋层区13和E个第四埋层区14，A＝B+C+D+E；每个埋层区包括左右布置的N型重掺杂埋层和P型重掺杂埋层；隔离区12为P型重掺杂区； 2在包含埋层区和隔离区12的衬底上进行外延和氧化生长牺牲氧化层，形成B个第一深集电极接触区20，C个第一CMOS衬底阱区22，D个第一DMOS源漏区23和D个第一DMOS衬底阱区24，E个第二深集电极接触区25和E个P型WELL阱区26，同时形成多个PN结隔离； 3进行LOCOS氧化隔离30，形成场区； 4刻蚀牺牲氧化层，氧化生长第一栅氧层50，形成第一基区40和第二基区41； 5通过掩膜图形对CMOS区域和DMOS区域沟道进行调沟51； 6利用掩膜图形刻蚀第一栅氧层50，再次氧化生长第二栅氧层60和第三栅氧层61，形成厚薄栅氧； 7进行多晶淀积，利用掩膜版注入并刻蚀形成栅多晶，对多晶进行SPACER氧化刻蚀，形成MOS管的栅氧多晶70； 8利用掩膜图形和多晶栅自对准进行离子注入同时形成第一发射区80，第一基极重接触区84，第一CMOS源漏区82，第二DMOS源漏区83； 9利用掩膜图形和多晶栅自对准进行离子注入同时形成第二发射区85，第二基极重接触区81，第二CMOS源漏区82，第三DMOS源漏区83； 10形成第一介质层； 11利用掩膜版刻蚀出CT孔；进行金属淀积，利用掩膜图形刻蚀出金属端头91，形成BJT,CMOS，DMOS器件； 所述第一发射区为N型Bipolar发射区，第一基极重接触区为P型Bipolar基极重接触区，第一CMOS源漏区为N型CMOS源漏区，第二DMOS源漏区为N型DMOS源漏区；第一发射区、第一基极重接触区、第一CMOS源漏区、第二DMOS源漏区由注入砷离子退火同时形成； 所述第二发射区为P型Bipolar发射区，第二基极重接触区为N型Bipolar基极重接触区，第二CMOS源漏区为P型CMOS源漏区，第三DMOS源漏区为P型DMOS源漏区； 第二发射区、第二基极重接触区、第二CMOS源漏区、第三DMOS源漏区均由注入BF2退火同时形成； BiCMOS集成时，先进行N型退火，完成Bipolar区域和MOS区域的N型掺杂扩散，再进行P型退火，完成Bipolar区域和MOS区域的N型掺杂扩散； 所述第一埋层区为N型Bipolar埋层，第二埋层区为CMOS埋层，第三埋层区为DMOS埋层，第四埋层区为P型Bipolar埋层。

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