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龙图腾网获悉重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411191919.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管是由陈文锁;俞齐声;徐向涛;张成方;王航;张力设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管，在场效应晶体管处于宇宙射线或重离子入射的状态时，因场效应晶体管内设置有第一导电类型多晶硅源极区域，使得寄生晶体管开启时电流增益降低，降低了器件的载流子倍增效应，以改善器件抗单粒子性能，再通过第二导电类型多晶硅源极区域形成一条空穴流动的通道，以将重离子入射时在氧化层下产生的空穴排除器件，使得氧化层内部的峰值电场降低。本申请在降低器件载流子倍增效应后，再通过空穴通道提高抗单粒子辐照性能，使得器件具有低的氧化层峰值电场和漏极电流，改善场效应晶体管的抗单粒子栅穿性能和烧毁性能，以提升了器件的抗单粒子辐照的能力。

本发明授权一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括： 漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的第一导电类型衬底层、第一导电类型缓冲层及第一导电类型漂移区； 第一导电类型传导区域，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型缓冲层的一侧； 两个第二导电类型栅极体区域，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型缓冲层的一侧，其中所述第一导电类型传导区域介于两个所述第二导电类型栅极体区域之间； 第二导电类型多晶硅源极区域，其设置于所述第一导电类型传导区域内，且所述第二导电类型多晶硅源极区域位于远离所述第一导电类型漂移区的一侧； 两个第二导电类型接触区域，分别设置于两个所述第二导电类型栅极体区域内，且所述第二导电类型接触区域位于远离所述第一导电类型漂移区的一侧； 两个第一导电类型多晶硅源极区域，分别设置于两个所述第二导电类型接触区域内，且所述第一导电类型多晶硅源极区域与所述第二导电类型栅极体区域接触； 氧化层，其设置于所述第一导电类型传导区域背离所述第一导电类型漂移区的一侧，且所述氧化层部分覆盖第一导电类型多晶硅源极区域、第二导电类型多晶硅源极区域及第二导电类型栅极体区域； 第一导电类型栅极多晶硅层，其设置于所述氧化层背离所述第一导电类型传导区域的一侧，且所述氧化层包裹所述第一导电类型栅极多晶硅层；以及， 源极金属层，其设置于所述第二导电类型接触区域背离所述第二导电类型栅极体区域的一侧，其中所述源极金属层部分覆盖所述第一导电类型多晶硅源极区域、所述第二导电类型多晶硅源极区域及所述氧化层； 在单粒子辐照发生时，两个第一导电类型多晶硅源极区域作为寄生晶体管的发射极，降低器件的电流增益，构成单粒子烧毁的保护结构。

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