中国科学院上海微系统与信息技术研究所梁丽娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种光电化学适配体传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119000815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410980661.9，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种光电化学适配体传感器及其制备方法和应用是由梁丽娟;齐同;孙赫彬;赵建龙设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电化学适配体传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电化学适配体传感器及其制备方法和应用，所述光电化学适配体传感器包括光敏材料和适配体，所述光敏材料为CdS@NiMoS。本发明光电化学适配体传感器所采用的光敏材料具有较高的比表面积和高效的光转化效率，在光电化学测试中能具有优异的光电流；本发明具有低背景电流、快速响应、灵敏度高、低检测线等优点，在小分子检测方法研发中具有广阔的发展前景。
本发明授权一种光电化学适配体传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种光电化学适配体传感器，所述传感器包括光敏材料和适配体，其特征在于：所述光敏材料为CdS@NiMoS；制备方法包括如下步骤： 1清洗传感器基底材料； 2取CdS@NiMoS、离子载体和Nafion超声处理，搅拌，得到混合溶液；在所述传感器基底材料上用混合溶液进行双电极电镀，干燥，得到CdS@NiMoS芯片； 3将抗生素适配体浓度稀释到0.1-0.5μM，得到适配体稀释液；将适配体稀释液滴涂在CdS@NiMoS芯片上进行孵育，得到适配体-CdS@NiMoS芯片；然后将抗生素滴在芯片上，继续进行孵育，得到抗生素-适配体-CdS@NiMoS芯片，即光电化学适配体传感器。
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