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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有沟道阈值调制层与N-I-P耐压区的氮化镓垂直JFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411051782.1，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种具有沟道阈值调制层与N-I-P耐压区的氮化镓垂直JFET器件是由赵胜雷;李道远;宋秀峰;鲁兴;曹创哲;于龙洋;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有沟道阈值调制层与N-I-P耐压区的氮化镓垂直JFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有沟道阈值调制层与N‑I‑P耐压区的氮化镓垂直JFET器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：N++GaN衬底；N‑GaN漂移区；位于N‑GaN漂移区表面的第一I型绝缘区、第二I型绝缘区和NGaN漂移区；分别位于第一I型绝缘区、NGaN漂移区、第二I型绝缘区表面的第一重掺杂P型区、沟道区和第二重掺杂P型区；分别位于第一重掺杂P型区、沟道区和第二重掺杂P型区表面的第一栅极、源极和第二栅极；位于第一栅极与源极、第二栅极与源极之间的钝化层；位于N++GaN衬底另一表面的漏极。由于重掺杂P型区、I型绝缘区、N‑GaN漂移区与N++GaN衬底构成N‑I‑P耐压区，提高了器件的耐击穿电压，在沟道区内引入N型超低掺杂的沟道阈值调制层，也使阈值电压得到提升。

本发明授权一种具有沟道阈值调制层与N-I-P耐压区的氮化镓垂直JFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有沟道阈值调制层与N-I-P耐压区的氮化镓垂直JFET器件，其特征在于，包括： N++GaN衬底； 位于所述N++GaN衬底一侧表面的N-GaN漂移区； 位于所述N-GaN漂移区远离N++GaN衬底一侧表面的第一I型绝缘区、第二I型绝缘区和NGaN漂移区，所述第一I型绝缘区与所述第二I型绝缘区分别位于N-GaN漂移区的两侧； 分别位于所述第一I型绝缘区、所述NGaN漂移区、所述第二I型绝缘区远离N++GaN衬底一侧表面的第一重掺杂P型区、沟道区和第二重掺杂P型区；所述沟道区包括N型超低掺杂的沟道阈值调制层，所述沟道阈值调制层与所述NGaN漂移区接触； 分别位于所述第一重掺杂P型区、所述沟道区和所述第二重掺杂P型区远离N++GaN衬底一侧表面的第一栅极、源极和第二栅极； 位于所述第一栅极与源极以及第二栅极与源极之间的钝化层； 位于所述N++GaN衬底远离N-GaN漂移区一侧表面的漏极。

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