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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410767717.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法是由宿世臣;赵天乐设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法，涉及氧化镓MOSFET技术领域。本发明提供的具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET的氧化物介电柱通过改善击穿时的电势分布，在反向状态下，使源极、介电柱和漏极之间形成电容器，其耦合效应让介电柱内以及漂移区的电势分布在垂直方向上更加均匀。另外，本发明也调整了原本无介电柱情况下的击穿位置，由此缓解了器件的雪崩倍增效应，提高了击穿电压，提升了器件的可靠性和性能。

本发明授权一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有介电柱的氧化镓垂直槽栅MOSFET，其特征在于，包括漏极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底层、低掺杂N型氧化镓漂移层、氧化物介电柱、电流阻挡层、高掺杂N型欧姆接触层、源极金属层、氧化物介质层、栅极金属层； 其中，所述漏极金属层、高掺杂N型氧化镓衬底层、低掺杂N型氧化镓漂移层依次设置，所述的漏极金属层上表面与高掺杂N型氧化镓衬底层的下表面接触，所述低掺杂N型氧化镓漂移层的两侧分别设置有氧化物介电柱；所述氧化物介电柱的下表面与高掺杂N型氧化镓衬底层接触； 所述电流阻挡层、高掺杂N型欧姆接触层依次设置，所述电流阻挡层的下表面与低掺杂N型氧化镓漂移层、氧化物介电柱接触； 所述垂直槽栅MOSFET设有U型沟槽，U型沟槽从高掺杂N型欧姆接触层的上表面向下凹陷至低掺杂N型氧化镓漂移层； 所述氧化物介质层覆盖U型沟槽的内壁及高掺杂N型欧姆接触层的上表面，所述氧化物介质层具有通孔，通孔贯穿的上下表面，通孔位于高掺杂N型欧姆接触层的上方，通孔内设置有源极金属层，所述源极金属层的下表面与高掺杂N型欧姆接触层接触；所述氧化物介质的上表面设置有栅极金属层； 所述高掺杂N型氧化镓衬底层的厚度为2-4µm，N型氧化镓的有效掺杂浓度为2×1018-4×1018cm-3； 所述低掺杂N型氧化镓漂移层的厚度为5-7µm，N型氧化镓的有效掺杂浓度为1×1016-2.5×1016cm-3； 所述氧化物介电柱的宽度为2-3.5µm，厚度为5-7µm； 所述氧化物介质层的厚度为20-40nm； 所述电流阻挡层的厚度为0.2-0.4µm，氮离子有效掺杂浓度为5×1018-7×1018cm-3。

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