宏茂微电子(上海)有限公司范俊获国家专利权
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龙图腾网获悉宏茂微电子(上海)有限公司申请的专利一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410920029.5，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构及封装方法是由范俊;陈之文;宁文果;邵滋人;付永朝设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，具体地说是一种多芯片垂直互联的封装结构及封装方法。封装结构包括多层堆叠芯片，堆叠芯片设有焊盘，第二层堆叠芯片以上的堆叠芯片的焊盘设有漏孔，上一层的堆叠芯片的焊盘的漏孔面积包含下一层的堆叠芯片的焊盘的漏孔面积，焊盘的漏孔处开设有连通下一层焊盘的孔，孔内设有导电结构，本发明还提供一种上述的多芯片垂直互联的封装结构的封装方法，同现有技术相比，对于后通孔的堆叠结构，可以通过一孔到底的工艺实施方法，通过堆叠结构一次完成的工序替代各层单独加工的工序，大大简化了工艺流程，降低了封装成本；通过各层芯片的漏孔区域设计，实现了通过导电结构传输的信号与各层芯片均可互连的效果。
本发明授权一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片堆叠垂直互联的封装结构，其特征在于：包括多层堆叠芯片1，堆叠芯片1设有焊盘2，第二层堆叠芯片1-2以上的堆叠芯片1的焊盘2设有漏孔3，上一层的堆叠芯片1的焊盘2的漏孔3面积包含下一层的堆叠芯片1的焊盘2的漏孔3面积，焊盘2的漏孔3处开设有连通下一层焊盘2的孔，孔内设有导电结构4；所述的多层堆叠芯片1包括四层堆叠芯片1，第一层堆叠芯片1-1设有焊盘一2-1，焊盘一2-1没有漏孔3，第二层堆叠芯片1-2设有焊盘二2-2，焊盘二2-2的漏孔3为14圆孔，第三层堆叠芯片1-3设有焊盘三2-3，焊盘三2-3的漏孔3为半圆孔，第四层堆叠芯片1-4设有焊盘四2-4，焊盘四2-4的漏孔3为34圆孔。
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