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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利一种浸没光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118672072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410798926.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种浸没光刻机是由陈会斌;邱杰振;颜天才;田锋;李承哲;胡翔;陈呈设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浸没光刻机在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浸没光刻机，包括：激光器，发射激光束；多组透镜，设置在激光器和浸没室之间，用于聚焦和准直激光器发出的激光束；浸没室，设置在透镜与掩膜之间，或设置在掩膜与晶圆之间，其内填充高折射率介质；掩膜，设置在浸没室下方，激光束经过浸没室后照射到掩膜上并形成图形化光束；控制系统，被配置为调节高折射率介质的流动速度和或温度；晶圆，设置在掩膜下方，图形化光束经过掩膜后照射到晶圆上，使晶圆表面的光刻胶发生化学反应或物理变化，形成对应的图案。本发明解决了现有光刻工艺中受限于光刻光源的有效波长、焦深较短，光刻分辨率和精度低的技术问题。

本发明授权一种浸没光刻机在权利要求书中公布了：1.一种浸没光刻机，其特征在于，包括： 激光器1，发射激光束； 多组透镜2，设置在激光器1和浸没室3之间，用于聚焦和准直激光器1发出的激光束； 浸没室3，设置在透镜2与掩膜4之间，其内填充高折射率介质，且所述浸没室3为可变容积的密封空间； 材料选择机构，与所述浸没室3连通，包括三个浸没材料存储箱112,113,114以及三个阀门115,116,117，每个所述浸没材料存储箱112,113,114分别通过一个所述阀门115,116,117接入所述浸没室3，所述浸没材料存储箱内存储有不同种类的浸没液； 掩膜4，设置在浸没室3下方，激光束经过浸没室3后照射到掩膜4上并形成图形化光束； 控制系统6，被配置为调节高折射率介质的流动速度和或温度，并根据晶圆的厚度控制所述阀门115,116,117的开闭以向所述浸没室3内选择性地填充不同种类的浸没液； 晶圆5，设置在掩膜4下方，图形化光束经过掩膜4后照射到晶圆5上，使晶圆5表面的光刻胶发生化学反应或物理变化，形成对应的图案。

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