武汉纺织大学汪胜祥获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118307314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410440842.2，技术领域涉及：C04B35/195；该发明授权Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法是由汪胜祥;杜康;李成云;周梦蝶;刘哲宇;温泰来;罗雨露;乔懋龙设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法，以化学式为xCaO‑yMO‑zAl33O22‑kNO22M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge的化合物制得，其主晶相的化学表达式为Ca44MAl22N33O1414M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge。采用上述方式制备的Ca基低介微波介质陶瓷，克服了现有技术中合成低介微波介质陶瓷时存在的缺陷，制得的Ca基低介微波介质陶瓷兼具低介电常数和高品质因数的特征，具有合成工艺简单、主晶相成分稳定的优点，是一种适用于毫米波通讯的低介微波介质陶瓷材料。
本发明授权Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述Ca基低介微波介质陶瓷采用化学式为xCaO-yMO-zAl3O2-kNO2的化合物制得；其中，3.5≤x≤4.5,0.5≤y≤1.5,1.5≤z≤2.5,2≤k≤4，且所述Ca基低介微波介质陶瓷的主晶相的化学表达式为Ca4MAl2N3O14；其中，M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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