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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院;中国科学院半导体研究所申请的专利用于量子级联激光器片上的光束合成装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410282127.0，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权用于量子级联激光器片上的光束合成装置及其制备方法是由陆全勇;张世晨;许云飞;孙永强;马钰;张锦川;卓宁;翟慎强;刘峰奇设计研发完成，并于2024-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于量子级联激光器片上的光束合成装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于量子级联激光器的片上光束合成装置及其制备方法。基于选区外延法的集成工艺，将QCL泵浦区和低损耗无源波导区进行片上集成，实现QCL的片上光束合成和大功率输出。根据本申请的方案，首先，通过制备多通道有源区阵列进行激光器能量分布的合理分配，改善了激光器因热耗散分布不均所导致的低功率输出问题；其次，通过有源区阵列上制备分布反馈光栅结构，起到模式选择，实现单模光传输；再者，将带有光栅的多通道QCL有源阵列与低损耗无源光合束波导通过对接耦合实现片上集成时，无源光束合成避免因载流子吸收带来的散热不均匀问题，实现QCL的片上光束合成和单孔径大功率输出，并且，解决了阵列多孔径输出所导致的多峰干涉的光束分布。

本发明授权用于量子级联激光器片上的光束合成装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于量子级联激光器的片上光束合成装置，其特征在于，包括： 衬底； 下波导层，位于所述衬底的正面上，具有第一部分和第二部分，所述第一部分位于有源区，所述第二部分位于无源区； 有源层，位于所述下波导层的第一部分之上，用于产出光并实现对光的放大； 光栅，位于所述有源层之上，用于实现光的单向传输； 无源材料，位于所述下波导层的第二部分之上，形成MMI型无源区和光模式单孔径输出端，所述MMI型无源区的一端与所述有源层对接，另一端与所述光模式单孔径输出端对接，所述MMI型无源区用于对来自所述有源区的光进行合成，所述光模式单孔径输出端用于输出所合成的光束，其中，所述无源材料包括本征的多层InPInGaAs或InAlAsInGaAs或者掺Fe的多层InPInGaAs或InAlAsInGaAs； 上波导层，具有第一部分和第二部分，所述上波导层的第一部分位于所述有源区，并覆盖所述有源层和所述光栅，所述上波导层的第一部分和所述下波导层的第一部分用于引导和约束光的传输，所述上波导层的第二部分覆盖所述无源材料，在所述上波导层上形成有电隔离沟，用于对所述有源区和所述无源区进行电隔离，以防止向所述有源区施加的电荷向所述无源区扩散。

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