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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利大小堆叠塔基硅片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410362286.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权大小堆叠塔基硅片及其制备方法是由方涛;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本大小堆叠塔基硅片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种大小堆叠塔基硅片及其制备方法，涉及太阳能电池领域。制备方法包括：预碱洗：采用清洗液对原始硅片进行清洗；前碱抛：采用第一碱抛液对第一基体硅片进行第一次碱抛处理；一次水洗：采用去离子水对第二基体硅片进行清洗；后碱抛：采用第二碱抛液对第三基体硅片进行第二次碱抛处理；二次水洗：采用去离子水对第四基体硅片进行清洗；臭氧清洗：采用臭氧液对第五基体硅片进行清洗；酸洗：采用酸洗液对第六基体硅片进行酸洗；三次水洗：采用去离子水对第七基体硅片进行清洗；去水处理：对第八基体硅片进行慢提拉去水处理；烘干：对第九基体硅片进行烘干，得到大小堆叠塔基硅片。本申请能够解决单塔基硅片无法提供良好界面等问题。

本发明授权大小堆叠塔基硅片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大小堆叠塔基硅片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 预碱洗：采用清洗液对原始硅片进行清洗，得到第一基体硅片； 前碱抛：采用第一碱抛液对所述第一基体硅片进行第一次碱抛处理，得到第二基体硅片； 一次水洗：采用去离子水对所述第二基体硅片进行清洗，得到第三基体硅片； 后碱抛：采用第二碱抛液对所述第三基体硅片进行第二次碱抛处理，得到第四基体硅片；其中，所述第二碱抛液的组分包括水、氢氧化钠和添加剂，其中，所述水的占比为80%～85%，所述氢氧化钠的占比为14%～18%，所述添加剂的占比为0.8%～1.2%； 二次水洗：采用去离子水对所述第四基体硅片进行清洗，得到第五基体硅片； 臭氧清洗：采用臭氧液对所述第五基体硅片进行清洗，得到第六基体硅片； 酸洗：采用酸洗液对所述第六基体硅片进行酸洗，得到第七基体硅片； 三次水洗：采用去离子水对所述第七基体硅片进行清洗，得到第八基体硅片； 去水处理：对所述第八基体硅片进行慢提拉去水处理，得到第九基体硅片； 烘干：对所述第九基体硅片进行烘干，得到大小堆叠塔基硅片。

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