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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院;中国科学院半导体研究所申请的专利一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118117445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410153710.1，技术领域涉及：H01S5/223；该发明授权一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法是由陆全勇;马钰;吴大鹏;黄睿欣;张世晨;李儒颂;周斌茹;翟慎强;张锦川;刘俊岐;刘舒曼;王利军;卓宁;刘峰奇设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法，包括：衬底上依序生长下波导层、无源波导层、低掺波导层、高掺波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、欧姆接触层；在欧姆接触层表面生长SiO22层，并在表面形成双沟条形脊结构，腐蚀深度至下波导层；在双沟内填满半绝缘InP:Fe，去除残余SiO22层；欧姆接触层表面生长绝缘层；绝缘层表面制备正面金属电极窗口；绝缘层表面和正面金属电极窗口内，生长正面金属电极层；加厚正面金属电极层；将衬底减薄抛光，生长背面金属电极层，退火处理、封装，得量子级联激光器光频梳。解决了中红外量子级联激光器色散问题，良品率高，成本低廉，工艺简单，满足大规模应用制造需求。

本发明授权一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于片上色散调控量子级联激光器光频梳的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依序生长下波导层、无源波导层、低掺波导层、高掺波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、欧姆接触层； 在所述欧姆接触层表面生长SiO2层；所述SiO2层厚度为300-1000nm； 在所述SiO2层表面制备半绝缘材料生长窗口，并湿法腐蚀至下波导层； 在所述半绝缘材料生长窗口内填充半绝缘材料，并去除残余SiO2层； 在所述欧姆接触层表面生长绝缘层；所述绝缘层厚度为300-1000nm； 在所述绝缘层表面制备正面金属电极窗口； 在所述绝缘层表面和所述正面金属电极窗口内，生长正面金属电极层； 加厚所述正面金属电极层； 将所述衬底进行减薄抛光后，生长背面金属电极层，并进行退火处理、封装，得所述量子级联激光器光频梳； 其中，所述绝缘层材料选自SiO2、Si3N4、AlN或InP； 所述半绝缘材料生长窗口为双沟条形脊结构，宽度为10-50μm； 所述半绝缘材料包括：掺Fe半绝缘InP材料； 所述无源波导层厚度为0.8-3μm；所述无源波导层的材料为InGaAs或InAlAs，掺杂浓度为1-10×1016cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京量子信息科学研究院;中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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