浙江超晶晟锐光电有限公司张凡获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江超晶晟锐光电有限公司申请的专利二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117995942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410088293.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法是由张凡;高华川;向运来设计研发完成，并于2024-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，采用真空镀膜方法在衬底片表面交替镀制由硫化锌和氟化镁形成的三组六层复合膜层，在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理。采用本发明提供的镀膜方法获得的增透膜透过率高、膜层稳定性高、作用于探测器的信号增幅大。本发明的镀膜方法所用镀膜材料只有两种，且镀膜工艺相对简单，可广泛应用于二类超晶格红外探测器中光电芯片的衬底部分，实现背增透效果。
本发明授权二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，其特征在于，包含如下步骤： 1采用真空镀膜方法在洁净的衬底片表面按照第一层ZnS488nm、第二层MgF2834nm、第三层ZnS231nm、第四层MgF2184nm、第五层ZnS535nm、第六层MgF2810nm进行膜层镀制，得到ZnSMgF2的三组六层复合膜层； 2在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理：首先降温至90℃并持温15分钟，然后降温至70℃并持温15分钟，第三次再降温至50℃并持温15分钟，最后自然降温至室温并在真空环境下保存4小时； 所述步骤1中ZnS的生长速率为15ÅS，MgF2的生长速率为10ÅS； 第一组和第二组ZnSMgF2膜层生长完成之后，在90℃环境下做15分钟的保温老化再进行下一膜层镀制；所述第一组ZnSMgF2膜层包括第一层的ZnS和第二层的MgF2，所述第二组ZnSMgF2膜层包括第三层的ZnS和第四层的MgF2。
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