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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种输入电流均值采样电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117907660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410077907.1，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种输入电流均值采样电路是由周泽坤;王世东;王诗远;娄建理;王卓;张波设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输入电流均值采样电路在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种输入电流均值采样电路。本发明针对具有阻断功率管的应用场景，以及传统电流检测电路需要片外电阻以及需要额外的引脚的问题，提出一种无需在功率级中串接电阻的低功耗片内全集成输入电流均值采样电路，可用于电路的电流限制或者过流保护等方面的应用。

本发明授权一种输入电流均值采样电路在权利要求书中公布了：1.一种输入电流均值采样电路，用于具有阻断功率管的buck电路，所述buck电路中阻断功率管Q1源极连接输入电压VIN，栅极电压标记为VG，漏端电压PMID连接到上功率管Q2；上功率管Q2通过下功率管Q3连接到地，并且通过电感L及其等效串联电阻Rdcr连接到输出电压Vout，输出电压通过负载电阻Rload连接到地同时通过负载电容Cout及其等效串联电阻Resr连接到地，其特征在于，采样电路包括第一采样高压NMOS管、第二采样高压NMOS管、第三高压NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、采样电阻Rs、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管、第一高压PMOS管、第二高压PMOS管、第三高压PMOS管、偏置电流IB、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管； 定义阻断功率管的源、漏、栅极电压分别为VIN、PMID、VG，第一采样高压NMOS管漏极连接VIN，栅极接VG，源极接第一电阻的一端；第一PNP管和第二PNP管的发射极短接接到第一电阻的另一端并且通过第一电容连接到地，第一PNP管集电极连接到第一高压PMOS管的源极，第二PNP管集电极通过第二高压PMOS管连接到偏置电流IB，第一PNP管的基极连接第二PNP管的基极和集电极、第三PNP管的基极和集电极、第四PNP管的基极；第一高压PMOS管漏极通过第三电阻连接到第一NMOS管漏极，第二NMOS管漏极连接到第一NMOS管的源极并且第二NMOS管源极接地；第一高压PMOS管的栅极接第二高压PMOS管的栅极和漏极、第三高压PMOS管的栅极；第二采样高压NMOS管的漏极连接PMID并且源极通过第二电阻连接到第三PNP管的发射极、第四PNP管的发射极、第二电容的一端，第二电容的另一端接地；第三PNP管的集电极通过第二高压PMOS管连接到偏置电流IB，第四PNP管集电极通过第三高压PMOS管连接到第三NMOS管的漏极，第三NMOS管的栅极接第一NMOS管的栅极和第一高压PMOS管漏极；第三高压PMOS管和第三NMOS管的连接点接第三电容的一端和第一PMOS管的栅极，第三电容的另一端接地；第四NMOS的漏极连接第三NMOS管的源极并且第四NMOS管的源极接地，第四NMOS管的栅极接第二NMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极；第三高压NMOS管的漏极连接第一采样高压NMOS管的源极，第三高压NMOS的源极连接到第一PMOS管的源极，第三高压NMOS管的栅极接外部使能信号；第一PMOS管的漏极通过采样电阻Rs连接到地，并且第一PMOS管的漏极通过第四电阻输出采样电压Vs，第四电容的一端通过第四电阻接第一PMOS管的漏极，另一端接地。

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