宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司宽军获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117552084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311587967.X，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法是由宽军;芮阳;伊冉;徐慶晧;曹启刚;王黎光;王忠保;白园设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法，涉及单晶硅生长技术领域。在整个等径过程中，根据硅液高度中心位置调整磁场中心位置，使得磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，以通过磁场抑制硅液对流，从而减少掺杂剂的挥发，提高掺杂剂的掺杂效率，并且保持磁场中心位置与硅液高度中心位置平齐，可以提高磁场对硅液对流抑制的稳定性，使得硅液对流处于稳定的状态，进而提高拉晶过程的稳定性；同时，调节等径过程中的炉压、液口距、氩气流量、坩埚旋转速度以及结晶旋转速度，以减少单晶硅的体微缺陷，提高晶体的成活率，实现无缺陷超低阻单晶硅的制备。
本发明授权基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MCZ法的超低阻单晶硅的制备方法，其特征在于，在整个等径过程中，根据硅液高度中心位置调整磁场中心位置，使得所述磁场中心位置与所述硅液高度中心位置平齐；调节等径过程中的炉压、液口距、氩气流量、坩埚旋转速度以及结晶旋转速度； 所述根据硅液高度中心位置调整磁场中心位置，使得所述磁场中心位置与所述硅液高度中心位置平齐，包括： 获取等径过程中的拉速； 根据所述拉速确定硅液高度，以得到硅液高度中心位置； 根据所述硅液高度中心位置上升磁场，以使磁场中心位置与所述硅液高度中心位置平齐； 其中，在整个等径过程中，所述磁场的强度从3000Gs降低至2000Gs。
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